[发明专利]半导体结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111085658.3 申请日: 2021-09-16
公开(公告)号: CN113972200A 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 顾杰斌;夏伟锋;王壮苗 申请(专利权)人: 上海迈铸半导体科技有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/528;H01L23/64;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 上海和华启核知识产权代理有限公司 31339 代理人: 王仙子
地址: 200233 上海市徐汇区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种半导体结构及其制备方法,将电感设置在衬底中,在衬底上设置其他有源器件和无源器件,有效的利用了衬底来节约电感的体积,将现有技术中设置在衬底上的电感的空间节省出来,从而使得整体结构更紧凑,体积更小,集成度更高。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域,特别涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

随着集成电路产业的发展,集成度越发提高,因此,如何更进一步的缩小体积,提高集成度,是业界的追求方向。

发明内容

本发明的一个目的在于,提供一种半导体结构及其制备方法,缩小器件的体积,提高集成度。

为了解决上述问题,根据本发明的第一方面,提供一种半导体结构,包括:

衬底,设置于所述衬底中的电感;以及

设置于所述衬底的一个表面上的有源器件和/或无源器件。

可选的,对于所述的半导体结构,还包括:

焊垫,所述焊垫设置在所述电感周围;

绝缘层,所述绝缘层至少设置于所述衬底的所述一个表面上;

金属布线层,所述金属布线层设置于所述衬底与所述有源器件和/或无源器件之间,所述金属布线层至少实现所述电感、所述焊垫与所述有源器件和/或无源器件之间的导通。

可选的,对于所述的半导体结构,还包括塑封层,所述塑封层覆盖所述衬底、所述有源器件和/或无源器件。

可选的,对于所述的半导体结构,所述衬底中具有环状的螺旋线通道,所述螺旋线通道中设置有导电材料层,所述导电材料层的首段和尾端相临但不接触,并引出有连接极。

可选的,对于所述的半导体结构,所述衬底包括键合在一起的第一基板和第二基板,所述螺旋线通道和所述导电材料层皆分布在所述第一基板和所述第二基板中。

根据本发明的第二方面,提高一种半导体结构的制备方法,包括:

在衬底中加工出电感;

在所述衬底上形成有源器件和/或无源器件。

可选的,对于所述的半导体结构的制备方法,在衬底中加工出电感之前或者之后,还包括:在所述衬底中所述电感周围设置焊垫。

可选的,对于所述的半导体结构的制备方法,在所述衬底上形成有源器件和/或无源器件之前,还包括:

在所述衬底的至少一个表面上形成绝缘层;

在绝缘层上开窗,至少暴露出所述焊垫和所述电感的连接极;以及

在所述绝缘层上形成金属布线层,所述金属布线层至少连接至所述焊垫和所述电感的连接极。

可选的,对于所述的半导体结构的制备方法,在所述衬底上形成有源器件和/或无源器件之后,还包括:

形成塑封层,所述塑封层覆盖所述衬底和所述有源器件和/或无源器件;以及

划片切割。

本发明提供的半导体结构及其制备方法,将电感设置在衬底中,在衬底上设置其他有源器件和无源器件,有效的利用了衬底来节约电感的体积,将现有技术中设置在衬底上的电感的空间节省出来,从而使得整体结构更紧凑,体积更小,集成度更高。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。

图1是根据本发明实施例中半导体结构的结构示意图;

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