[发明专利]掩模制造方法在审
| 申请号： | 202111086659.X | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN114481018A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 李炳一;金奉辰;李永浩 | 申请（专利权）人： | 悟劳茂材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
1.一种掩模制造方法，其用于制造OLED像素形成用掩模，该方法包括以下步骤：
(a)准备掩模金属膜；
(b)在掩模金属膜的至少第一面上形成图案化的第一绝缘部；
(c)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间形成副掩模图案；
(d)通过夹设隔板绝缘部来粘合形成有副掩模图案的掩模金属膜的第一面与支撑基板；
(e)使用与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成的第二绝缘部图案间的空间，在掩模金属膜上形成主掩模图案，从而制造掩模。
2.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，进一步包括：(f)将掩模从支撑基板剥离的步骤。
3.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在步骤(b)中，在第一面上形成图案化的第一绝缘部以及在与第一面相对的第二面上形成图案化的第二绝缘部。
4.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在步骤(c)中，副掩模图案以不贯穿掩模金属膜的方式形成。
5.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，第一绝缘部的图案间隔小于第二绝缘部的图案间隔。
6.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，在步骤(e)中，主掩模图案以贯穿掩模金属膜的方式形成，主掩模图案与副掩模图案之和构成掩模图案。
7.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，步骤(a)包括以下步骤：
(a1)准备掩模金属膜；
(a2)在掩模金属膜的第二面上形成载体部；
(a3)在掩模金属膜的第一面上缩减掩模金属膜的厚度。
8.如权利要求7所述的掩模制造方法，其中，进一步包括：(a4)在除去掩模金属膜的多个掩模单元区域的两侧虚设部区域的至少一部分形成对准标识的步骤。
9.如权利要求7所述的掩模制造方法，其中，在步骤(d)与步骤(e)之间，进一步包括将载体部从掩模金属膜的第二面剥离的步骤。
10.如权利要求9所述的掩模制造方法，其中，第二绝缘部不形成于对准标识上面，在步骤(e)中去除掩模金属膜的对准标识。
11.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，步骤(a)包括以下步骤：
(a1)准备掩模金属膜；
(a2)在掩模金属膜的第二面上形成载体部；
在步骤(d)与步骤(e)之间，在掩模金属膜的第二面上缩减掩模金属膜的厚度。
12.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，步骤(b)是以掩模金属膜的一个掩模单元区域作为对象，至少在第一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤。
13.如权利要求1所述的掩模制造方法，其中，步骤(b)是以掩模金属膜的多个掩模单元区域作为对象，至少在第一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤。
14.如权利要求13所述的掩模制造方法，其中，在多个掩模单元区域上形成主掩模图案和副掩模图案。
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