[发明专利]掩模制造方法

说明书

本发明涉及掩模制造方法。本发明的掩模制造方法用于制造OLED像素形成用掩模，该方法包括以下步骤：(a)准备掩模金属膜；(b)在掩模金属膜的至少第一面上形成图案化的第一绝缘部；(c)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间形成副掩模图案；(d)通过夹设隔板绝缘部来粘合形成有副掩模图案的掩模金属膜的第一面与支撑基板；(e)使用与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成的第二绝缘部图案间的空间，在掩模金属膜上形成主掩模图案，从而制造掩模。

技术领域

本发明涉及掩模制造方法。更具体地，涉及一种可在掩模上稳定地形成掩模图案的掩模制造方法。

背景技术

作为OLED(有机发光二极管)制造工艺中形成像素的技术，主要使用精细金属掩模(Fine Metal Mask，FMM)方法，该方法将薄膜形式的金属掩模(Shadow Mask，阴影掩模)紧贴于基板并且在所需位置上沉积有机物。

在现有的OLED制造工艺中，将掩模制造成条状、板状等后，将掩模焊接固定到OLED像素沉积框架并使用。一个掩模上可以具备与一个显示器对应的多个单元。

在超高画质的OLED中，现有的QHD画质为500-600PPI(pixel per inch，每英寸像素)，像素的尺寸达到约30-50μm，而4KUHD、8KUHD高画质具有比之更高的-860PPI，-1600PPI等的分辨率。如此，考虑到超高画质的OLED的像素尺寸，需要将各单元之间的对准误差缩减为数μm左右，超出这一误差将导致产品的不良，所以收率可能极低。

此外，随着OLED大面积化及高分辨率化，掩模需要厚度更薄且面积更大。为了在大面积的掩模上形成掩模图案，一般采用在轧制的掩模金属膜上进行蚀刻的方法。或者，可采用将大面积的掩模放置到特定支撑板之后，只朝一方向进行蚀刻以形成掩模图案的方法。现有方法难以在大面积掩模的整体部分，特别是在各单元之间形成均匀的掩模图案，而由于只朝一方向进行蚀刻，因此很难精确地控制掩模图案的宽度、深度等。

因此，现实情况需要一种既可用于大面积的像素工艺中又具有微细掩模图案以进行高画质的像素工艺的掩模制造方法。

发明内容

技术问题

因此，本发明为了解决如上所述的诸多现有技术问题而提出，其目的在于提供一种在制造掩模时可稳定地形成掩模图案的掩模制造方法。

此外，本发明的目的在于，提供一种在掩模制造过程中通过向两个方向进行蚀刻从而可精确地控制掩模图案的宽度、深度等的掩模制造方法。

技术方案

本发明的上述目的通过掩模制造方法来实现，所述掩模制造方法用于制造OLED像素形成用掩模，该方法包括以下步骤：a)准备掩模金属膜；(b)在掩模金属膜的至少第一面上形成图案化的第一绝缘部；(c)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间形成副掩模图案；(d)通过夹设隔板绝缘部来粘合形成有副掩模图案的掩模金属膜的第一面与支撑基板；(e)使用与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成的第二绝缘部图案间的空间，在掩模金属膜上形成主掩模图案，从而制造掩模。

可进一步包括(f)将掩模从支撑基板剥离的步骤。

在步骤(b)中，可在第一面上形成图案化的第一绝缘部及在与第一面反向的第二面上形成图案化的第二绝缘部。

在步骤(c)中，副掩模图案能够以未贯穿掩模金属膜的方式形成。

第一绝缘部的图案间隔可小于第二绝缘部的图案间隔。

在步骤(e)中，主掩模图案能够以贯穿掩模金属膜的方式形成，主掩模图案与副掩模图案之和构成掩模图案。

步骤(a)可包括以下步骤：(a1)准备掩模金属膜；(a2)在掩模金属膜的第二面形成载体部；(a3)在掩模金属膜的第一面上缩减掩模金属膜的厚度。