[发明专利]一种具有复合膜层的声表面波装置有效
| 申请号： | 202111087051.9 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113794458B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 封琼;王为标;许志斌;陆增天;李壮 | 申请（专利权）人： | 无锡市好达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳 |
| 地址： | 214124 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 表面波 装置 | ||
1.一种具有复合膜层的声表面波装置，其特征在于，所述声表面波装置包括复合膜层和叉指电极；所述叉指电极形成于所述复合膜层上方，所述叉指电极的周期长度为λ；所述复合膜层中的任意一个界面处形成有图案化结构，所述复合膜层包括自下而上依次设置的支撑衬底、介质层和压电层；所述图案化结构为凹槽阵列图形，所述凹槽阵列图形从界面处向所在层内延伸一定深度。
2.根据权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于，所述凹槽阵列图形形成在所述支撑衬底上表面或所述介质层下表面。
3.根据权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于，所述凹槽阵列图形形成在所述介质层上表面或所述压电层下表面。
4.根据权利要求3所述的声表面波装置，其特征在于，所述凹槽阵列图形表面沉积有一层平坦化介质层，所述压电层下方的膜层通过所述平坦化介质层与所述压电层键合。
5.根据权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于，所述介质层包括高声速介质层和低声速介质层，所述低声速介质层形成于所述高声速介质层上表面，所述低声速介质层的体声波速度低于所述压电层表面的弹性波声速，所述高声速介质层的体声波速度高于所述压电层表面的弹性波声速；所述凹槽阵列图形形成在所述高声速介质层的上表面或形成在所述低声速介质层的下表面。
6.根据权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于，所述凹槽阵列图形呈定周期或变周期分布。
7.根据权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于，所述凹槽阵列图形的周期范围为0.2λ-λ，所述凹槽阵列图形的占空比为0.2-0.8。
8.根据权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于，所述声表面波装置包括谐振器、滤波器、双工器或包含谐振器、滤波器和双工器中至少一种的射频模组。
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