[发明专利]一种具有复合膜层的声表面波装置

说明书

本发明公开了一种具有复合膜层的声表面波装置，涉及声表面波器件领域，该声表面波装置复合膜层和叉指电极，叉指电极形成于复合膜层上方，复合膜层中的任意一个界面处形成有图案化结构，图案化结构为凹槽阵列图形，凹槽阵列图形呈定周期或变周期分布。通过在复合膜层中的任意一个界面处采用刻蚀工艺进行图形化处理，形成凹槽结构，可以有效散射高阶杂波响应，通过调节图形的深度与径向大小，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波，提高阻带抑制能力。

技术领域

本发明涉及声表面波器件领域，尤其涉及一种具有复合膜层的声表面波装置。

背景技术

声表面波装置已广泛应用于通信、医疗、卫星、交通等领域，但是传统的声表面波装置受制于材料本身的限制，即将不能满足高端声表面波产品的性能要求。复合键合结构声表面波装置集大带宽、低插损、低温漂、大功率以及高带外抑制等优点而备受关注，但是复合键合结构也会引起诸多寄生问题，例如高阶杂波响应，这将恶化滤波器的带外抑制，也会引起双工器或射频模块之间的模式串扰，极大地影响通信装置的性能。

发明内容

本发明人针对上述问题及技术需求，提出了一种具有复合膜层的声表面波装置，本发明的技术方案如下：

一种具有复合膜层的声表面波装置，包括复合膜层和叉指电极；叉指电极形成于复合膜层上方，叉指电极的周期长度为λ；复合膜层中的任意一个界面处形成有图案化结构；图案化结构为凹槽阵列图形。

进一步的，复合膜层包括支撑衬底和压电层，压电层形成于支撑衬底上方，凹槽阵列图形形成在支撑衬底上表面或压电层下表面。

进一步的，复合膜层包括自下而上依次设置的支撑衬底、介质层和压电层。

进一步的，凹槽阵列图形形成在支撑衬底上表面或介质层下表面。

进一步的，凹槽阵列图形形成在介质层上表面或压电层下表面。

进一步的，凹槽阵列图形表面沉积有一层平坦化介质层，压电层下方的膜层通过平坦化介质层与压电层键合。

进一步的，介质层包括高声速介质层和低声速介质层，低声速介质层形成于高声速介质层上表面，低声速介质层的体声波速度低于压电层表面的弹性波声速，高声速介质层的体声波速度高于压电层表面的弹性波声速；凹槽阵列图形形成在高声速介质层的上表面或形成在低声速介质层的下表面。

进一步的，凹槽阵列图形呈定周期或变周期分布。

进一步的，凹槽阵列图形的周期范围为0.2λ-λ，凹槽阵列图形的占空比为0.2-0.8。

进一步的，声表面波装置包括谐振器、滤波器、双工器或包含谐振器、滤波器和双工器中至少一种的射频模组。

本发明的有益技术效果是：

本申请公开了一种具有复合膜层的声表面波装置，该声表面波装置在复合膜层的界面处通过刻蚀工艺进行图案化处理，形成凹槽阵列图形，可以有效散射高阶杂波响应；通过调节图形的深度与径向大小，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力。

附图说明

图1A-1G是本申请公开的声表面波装置的凹槽阵列图形示意图。

图2是本申请实施例1的声表面波装置的结构示意图。

图3是本申请实施例2的声表面波装置的结构示意图。

图4是本申请实施例3的声表面波装置的结构示意图。

图5是本申请实施例4的声表面波装置的结构示意图。

图6是本申请实施例5的声表面波装置的结构示意图。

图7A-7B是本申请实施例5的声表面波装置的性能测试图。

具体实施方式