[发明专利]半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

测试模式数据存储装置，测试模式数据存储装置被配置为在测试操作期间：

响应于寄存器写入命令和寄存器地址而存储测试写入模式数据，其中，每个测试写入模式数据具有第一预定数量的位，并且

响应于测试读取命令和测试模式数据选择信号而输出测试读取模式数据，其中，每个测试读取模式数据具有第一预定数量的位；

行解码器，通过对行地址进行解码来生成字线选择信号；

列解码器，通过对列地址进行解码来生成列选择信号；

存储器单元阵列，从通过字线选择信号和列选择信号选择的存储器单元输出数据；

读取路径单元，读取路径单元被配置为通过将来自存储器单元阵列的数据串行化而以第一数据速率生成n个读取数据，其中，所述n个读取数据中的每个具有第一预定数量的位，其中，n是大于4的整数；以及

测试读取数据生成单元，测试读取数据生成单元被配置为在测试操作期间：

通过将测试读取模式数据与所述n个读取数据中的每个进行比较来生成n个测试读取数据，其中，所述n个测试读取数据中的每个具有第三预定数量的位，其中，所述比较基于第二预定数量的位被执行，并且

以第二数据速率生成所述n个测试读取数据，其中，第二数据速率低于第一数据速率。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括：命令和地址生成器，命令和地址生成器被配置为在测试操作期间：

通过响应于测试时钟信号对测试命令/地址进行接收和解码，来生成寄存器地址以及寄存器写入命令，生成行地址以及测试激活命令，或生成列地址以及测试写入命令，或者

通过响应于测试时钟信号对测试命令/地址以及专用信号进行接收和解码，来生成列地址和测试模式数据选择信号以及测试读取命令。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，测试模式数据选择信号使用包括在测试命令/地址中的地址信号之中的不用于指示列地址的地址并且使用专用信号被生成。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，专用信号包括在正常操作期间用于特殊目的的测试时钟启用信号、测试命令和地址总线反转信号、以及测试复位信号中的至少一个。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，测试模式数据存储装置包括寄存器单元，寄存器单元包括多个寄存器，

其中，测试模式数据存储装置被配置为：响应于寄存器地址而将测试模式数据存储在所述多个寄存器中的一个寄存器中，或者响应于测试模式数据选择信号而从所述多个寄存器中的一个寄存器输出测试模式数据，

其中，测试模式数据存储装置还被配置为：

响应于寄存器写入命令和寄存器地址，发送测试写入模式数据作为测试模式数据，以及

响应于测试读取命令和测试模式数据选择信号，发送测试模式数据作为测试读取模式数据。

6.根据权利要求2至5中的任一项所述的半导体存储器装置，其中，测试读取数据生成单元包括n个测试读取数据生成器，

其中，所述n个测试读取数据生成器中的每个包括比较单元，比较单元被配置为通过将测试读取模式数据与读取数据进行比较来生成测试读取数据。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，还包括：测试写入数据生成单元，测试写入数据生成单元被配置为：

复制以第三数据速率的n个测试写入数据中的每个或者复制并反转以第三数据速率的n个测试写入数据中的每个，每个测试写入数据具有第四预定数量的位，以及

以第一数据速率生成n个写入数据，每个写入数据具有第一预定数量的位，

其中，第一数据速率高于第三数据速率，并且第二数据速率等于或低于第三数据速率。