[发明专利]半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统

说明书

公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统。所述半导体存储器装置包括：测试模式数据存储装置，被配置为在测试操作期间，响应于寄存器写入命令和寄存器地址而存储测试写入模式数据，并且响应于测试读取命令和测试模式数据选择信号而输出测试读取模式数据；存储器单元阵列，包括多个存储器单元并且被配置为生成读取数据；读取路径单元，被配置为通过将读取数据串行化而生成n个读取数据；以及测试读取数据生成单元，被配置为在测试操作期间，通过将测试读取模式数据与以第一数据速率生成的所述n个读取数据中的每个进行比较来生成n个测试读取数据，并且以低于第一数据速率的第二数据速率生成所述n个测试读取数据。

于2020年12月14日在韩国知识产权局提交的题为“半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统”的第10-2020-0174328号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统。

背景技术

一旦半导体存储器装置被制造，制造商就可使用测试设备执行测试(例如，并行位测试(parallel bit test))，以测试半导体存储器装置是否正常操作。

发明内容

实施例涉及一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：测试模式数据存储装置，被配置为在测试操作期间，响应于寄存器写入命令和寄存器地址而存储具有第一预定数量的位的测试写入模式数据，并且响应于测试读取命令和测试模式数据选择信号而输出具有第一预定数量的位的测试读取模式数据；行解码器，被配置为通过对行地址进行解码来生成多个字线选择信号；列解码器，被配置为通过对列地址进行解码来生成多个列选择信号；存储器单元阵列，包括多个存储器单元并且被配置为从通过所述多个字线选择信号之一和所述多个列选择信号之一选择的存储器单元生成具有多个位的读取数据；读取路径单元，被配置为通过将具有所述多个位的读取数据串行化来生成各自具有第一预定数量的位的n个读取数据；以及测试读取数据生成单元，被配置为在测试操作期间，通过按第二预定数量的位将具有第一预定数量的位的测试读取模式数据与以第一数据速率生成的具有第一预定数量的位的所述n个读取数据中的每个进行比较来生成各自具有第三预定数量的位的n个测试读取数据，并且以低于第一数据速率的第二数据速率生成各自具有第三预定数量的位的所述n个测试读取数据。