[发明专利]可控硅失效检测报警装置、系统以及测验方法在审

专利信息
申请号: 202111088362.7 申请日: 2021-09-16
公开(公告)号: CN113671337A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 张正荣 申请(专利权)人: 江苏捷捷微电子股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/28;H02H3/087;H02H3/04;H02H1/00
代理公司: 南通鼎点知识产权代理事务所(普通合伙) 32442 代理人: 胡建锋
地址: 226000 江苏省南通*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 可控硅 失效 检测 报警装置 系统 以及 测验 方法
【权利要求书】:

1.可控硅失效检测报警装置,其特征在于,包括:控制电路(1)以及与所述控制电路(1)电性连接的检测电路(2)和常闭开关电路(3);

检测电路(2),用于采样电路中的电流值并传输控制电路(1);

控制电路(1),用于接收处理所述检测电路传输的电流值,并获取预设时间内电流值对应的波形状态,根据所述波形状态确认可控硅为被击穿的失效状态时向常闭开关电路(3)发送控制信号;

常闭开关电路(3),与所述检测电路电性连接,用于在接收到所述控制电路(1)的控制信号后,断开常闭开关电路,切断电路电流。

2.根据权利要求1所述的可控硅失效检测报警装置,其特征在于,还包括报警电路(4)和电源电路(5),所述电源电路(5)与所述控制电路(1)和报警电路(4)电性连接,报警电路(4)被配置为在接收到控制电路(1)的控制信号后,进行报警提示。

3.根据权利要求1所述的可控硅失效检测报警装置,其特征在于,还包括复位电路(5),所述复位电路(5)与所述控制电路(1)、常闭开关电路(3)电性连接。

4.根据权利要求1所述的可控硅失效检测报警装置,其特征在于,所述报警装置包括第一输入端IN1和第二输入端IN2,所述检测电路(2)采用电流互感器,所述第一输入端IN1通过所述电流互感器的磁环连接至常闭开关电路(3),第二输入端IN2I与常闭开关电路(3)的另一端连接。

5.可控硅失效检测报警系统,其特征在于,包括:权利要求1-4任一所述的检测报警装置、雷击设备、被测可控硅以及控压电阻R,

所述雷击设备被配置为给被测可控硅提供一个频率和幅值成正弦交变周期的电源信号,以及在所述电源信号上叠加一个幅值可调的模拟雷击电压和电流的组合波,

所述雷击设备的一端通过所述被测可控硅与所述检测报警装置中的常闭开关电路电性连接,所述雷击设备的另一端与所述检测报警装置的输入端电性连接。

6.根据权利要求5所述的可控硅失效检测报警系统,其特征在于,还包括负载限流电路,所述负载限流电路串联在所述雷击设备和所述检测报警装置中的检测电路之间。

7.根据权利要求6所述的可控硅失效检测报警系统,其特征在于,还包括控压电阻R,所述控压电阻R并联连接在所述被测可控硅的控制极和阴极两端或控制极和第一阳极的两端,用于确保可控硅处于正常有效的关断状态。

8.可控硅失效检测报警系统的测验方法,其特征在于,采用权利要求5-6任一所述的可控硅失效检测报警系统,包括以下步骤:

利用雷击设备输出一个有效的交流电源信号;

利用雷击设备模拟输出一个用于测验的电压波叠加到交流电源信号上,并施加至被测可控硅的阴极和阳极或第一阳极和第二阳极之间;

获取流过被测可控硅的电流的状态;

根据流过被测可控硅的电流的状态控制常闭开关电路的通断以及确认是否进行报警提示。

9.根据权利要求8所述的可控硅失效检测报警系统的测验方法,其特征在于,步骤根据被测可控硅的状态控制常闭开关电路的通断以及确认是否进行报警提示,具体包括:

检测到被测可控硅只在对应雷击设备进行雷击时产生一个对应的感应电流,其它时间无电流流过,常闭开关电路不切断电路且不进行报警提示;

检测到被测可控硅在对应雷击设备进行雷击时被雷击电压导通,但至下一个交流电源信号的零点位置关断,即可控硅导通时长小于预设时长,常闭开关电路不切断电路且不进行报警提示;

检测到被测可控硅在对应雷击设备进行雷击时被雷击电压击穿导通,且导通时间大于预设时间,所述检测报警装置的控制常闭开关电路断开,切断电路电流。

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