[发明专利]可控硅失效检测报警装置、系统以及测验方法

说明书

本发明公开了可控硅失效检测报警装置，包括控制电路以及与控制电路电性连接的检测电路、常闭开关电路；检测电路，用于采样电路中的电流值并传输控制电路；控制电路，用于接收处理检测电路传输的电流值，并获取预设时间内电流值对应的波形状态，根据波形状态确认可控硅为被击穿的失效状态时向常闭开关电路发送控制信号；常闭开关电路，用于在接收到控制电路的控制信号后，控制常闭开关电路断开，切断电路电流。本发明有效的保护电路的安全，防止可控硅短路过流带来的负面影响，提高人员的工作效率，降低事故发生的风险等级。

技术领域

本发明涉及电子设备技术领域，尤其涉及可控硅失效检测报警装置、系统以及测验方法。

背景技术

随着近些年来，整机对EMC(抗雷击浪涌性能)要求的不断提升，这就催生了需要对关键的电子开关元件——可控硅，进行相应的抗雷击浪涌性能测试。但原来的可控硅在此性能参数上是不进行任何考核，这意味着需要对可控硅采用国标(GB/T 17626.5-1999)测试条件来进行雷击浪涌考核，以此了解可控硅极限的抗雷击能力，以提供给电路设计人员参考使用。

但目前国标中所要求的测试方案，均为测试整机的方案，没有单独测试可控硅的方案。目前市场主流的可控硅雷击浪涌性能测试方案为：一台雷击浪涌发生器、大功率负载及被测可控硅组成，在测试过程中再由测试人员来及时判断、处理当可控硅受雷击后各种异常变化，进行相应操作。

同时，现有的可控硅基础雷击浪涌试验方案，只能通过雷击设备产生一个雷击浪涌信号施加到可控硅上。具体在测试可控硅雷击性能过程中，是不具备可控硅失效检测及对雷击设备保护这一功能。

而目前的基础测试方案，想快速了解可控硅是否受雷击浪涌损坏，并且不影响测试结果准确性及起到保护雷击设备的目的，只能采取人工实时监测方式：即外接检测设备(如示波器、钳形电流表等)，通过人员实时监测设备的读数，以此来判断可控硅是否误导通或者损坏，并且在可控硅损坏的前提下，通过人员手动方式断开雷击设备供电，防止设备短路烧毁雷击设备。

此外，如果采用已有的漏电保护器，来进行保护工作，由于漏电保护器本身灵敏度太高且抗雷击能力较弱，只要有可控硅误动作情况发生，或者测试的雷击电压过高，漏电保护器就有可能会跳闸断路，甚至失效，根本无法起到有效电路保护及测试功能。

发明内容

本发明针对上述现有的问题的一个或多个，提出可控硅失效检测报警装置、系统以及测验方法。

根据本发明第一方面，提供可控硅失效检测报警装置，包括：控制电路以及与所述控制电路电性连接的检测电路、常闭开关电路；

检测电路，用于采样电路中的电流值并传输控制电路；

控制电路，用于接收处理所述检测电路传输的电流值，并获取预设时间内电流值对应的波形状态，根据所述波形状态确认可控硅为被击穿的失效状态时向常闭开关电路发送控制信号；

常闭开关电路，与检测电路电性连接，用于在接收到所述控制电路的控制信号后，控制常闭开关电路断开，切断电路电流。

在某些可能的设计方式中，还包括报警电路和电源电路，所述电源电路与所述控制电路和报警电路电性连接。报警电路被配置为在接收到控制电路的控制信号后，进行报警提示。

在某些可能的设计方式中，还包括复位电路，所述复位电路与所述控制电路电性连接。

在某些可能的设计方式中，所述报警装置还包括第一输入端IN1和第二输入端IN2，所述检测电路采用电流互感器，所述第一输入端IN1通过所述电流互感器的磁环连接至常闭开关电路，第二输入端IN2I与常闭开关电路的另一端连接。

第二方面，本发明提供可控硅失效检测报警系统，包括：

上述检测报警装置、雷击设备、被测可控硅以及控压电阻R，