[发明专利]倒装发光芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装发光芯片，其特征在于，包括：

外延层，所述外延层包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

第一绝缘反射层，所述第一绝缘反射层覆盖在所述外延层上，且所述第一绝缘反射层上具有第一通孔和第二通孔；

第二绝缘反射层，所述第二绝缘反射层覆盖在所述第一绝缘反射层上，且所述第二绝缘反射层上具有第三通孔和第四通孔，且所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔在所述外延层上的投影不重合；

第一导电层，所述第一导电层位于所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层之间，并通过所述第一通孔与所述第一半导体层电连接；

第二导电层，所述第二导电层位于所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层之间，并通过所述第二通孔与所述第二半导体层电连接；

第一电极，所述第一电极通过所述第三通孔与所述第一导电层电连接；

第二电极，所述第二电极通过所述第四通孔与所述第二导电层电连接。

2.如权利要求1所述的倒装发光芯片，其特征在于，所述倒装发光芯片还包括：

第一电流扩展层和第二电流扩展层，所述第一电流扩展层位于所述第一半导体层和所述第一绝缘反射层之间，所述第二电流扩展层位于所述第二半导体层和所述第一绝缘反射层之间；

所述第一通孔和所述第二通孔分别与所述第一电流扩展层、所述第二电流扩展层相通，所述第一导电层和所述第二导电层分别通过所述第一通孔和所述第二通孔与所述第一电流扩展层、所述第二电流扩展层电连接。

3.如权利要求2所述的倒装发光芯片，其特征在于，所述倒装发光芯片还包括：

透明电极传输层，所述透明电极传输层位于所述第二半导体层和所述第二电流扩展层之间。

4.如权利要求3所述的倒装发光芯片，其特征在于，所述透明电极传输层为ITO层或ZnO层。

5.如权利要求1-4任一项所述的倒装发光芯片，其特征在于，所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层中的至少之一包括：由第一材料层和第二材料层交替叠加构成的布拉格反射层，所述第一材料层的折射率低于所述第二材料层的折射率。

6.如权利要求5所述的倒装发光芯片，其特征在于，所述第一材料层为SiO₂层，所述第二材料层为Ti_XO_Y层。

7.如权利要求6所述的倒装发光芯片，其特征在于，所述Ti_XO_Y层为Ti₃O₅层或TiO₂层。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的倒装发光芯片的制备方法，其特征在于，包括：

形成所述倒装发光芯片的所述外延层；

形成将所述外延层覆盖的所述第一绝缘反射层；

在所述第一绝缘反射层上分别形成所述第一通孔和所述第二通孔；

在所述第一绝缘反射层上分别形成所述第一导电层和所述第二导电层；形成将所述第一绝缘反射层、所述第一导电层和所述第二导电层覆盖的所述第二绝缘反射层；

在所述第二绝缘反射层上形成所述第三通孔和所述第四通孔；

在所述第二绝缘反射层上形成所述第一电极和所述第二电极。

9.如权利要求8所述的倒装发光芯片的制备方法，所述形成将所述外延层覆盖的所述第一绝缘反射层之前，还包括：

在所述第一半导体层和所述第一绝缘反射层之间形成第一电流扩展层，在所述第二半导体层和所述第一绝缘反射层之间形成第二电流扩展层。

10.如权利要求9所述的倒装发光芯片的制备方法，其特征在于，形成所述第二电流扩展层之前，还包括：

在所述第二半导体层和所述第二电流扩展层之间形成透明电极传输层。