[发明专利]倒装发光芯片及其制备方法

说明书

本发明涉及一种倒装发光芯片及其制备方法，该芯片包括：外延层，外延层包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；依次设置在上述外延层表面的具备第一、二通孔的第一绝缘反射层，具备第三、第四通孔的第二绝缘反射层，第一、二、三、四通孔在外延层上的投影不重合；第一、二导电层，第一、二导电层位于第一绝缘反射层和第二绝缘反射层之间分别通过第一通孔和第二通孔以与第一半导体层、第二半导体层分别电连接；第一、二电极，第一电极通过第三通孔与第一导电层电连接，第二电极通过第四通孔与第二半导体电连接，改善了芯片绝缘反射层开孔处反射率低的问题，使芯片的光提取效率增加，提升了芯片亮度。

技术领域

本发明涉及芯片制造领域，尤其涉及一种倒装发光芯片及其制备方法。

背景技术

目前，Mini LED(Mini Light Emitting Diode，迷你发光二极管)采用倒装结构LED。对于倒装结构而言，量子阱的光需要从芯片背面发出，倒装LED需要在芯片的正面蒸镀一层绝缘反射层，即具有高反射率的DBR(Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜)膜层，反射率可以达到99％以上，可以很好把LED芯片正面的光反射到芯片背面，从而提高芯片的光提取效率。但是，传统的Mini LED制备流程中，电流扩展层与电极层之间的DBR膜层需要开孔，以便用于封装的焊盘结构层与用于电流扩展层导通，从而芯片可以通电点亮。但是DBR膜层开孔后，此处的反射率较低，会有部分的光无法反射至背面。

因此，如何提升绝缘反射层开孔处的反射率是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片及其制备方法，旨在解决相关技术中，倒装发光芯片的绝缘反射层开孔处的反射率的问题。

一种倒装发光芯片，包括：

外延层，所述外延层包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

第一绝缘反射层，所述第一绝缘反射层覆盖在所述外延层上，且所述第一绝缘反射层上具有第一通孔和第二通孔；

第二绝缘反射层，所述第二绝缘反射层覆盖在所述第一绝缘反射层上，且所述第二绝缘反射层上具有第三通孔和第四通孔，且所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔在所述外延层上的投影不重合；

第一导电层，所述第一导电层位于所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层之间，并通过所述第一通孔与所述第一半导体层电连接；

第二导电层，所述第二导电层位于所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层之间，并通过所述第二通孔与所述第二半导体层电连接；

第一电极，所述第一电极通过所述第三通孔与所述第一导电层电连接；

第二电极，所述第二电极通过所述第四通孔与所述第二导电层电连接。上述发光芯片具备双层绝缘反射层，第一绝缘反射层和第二绝缘反射层，其中，第一绝缘反射层具备第一通孔、第二通孔，第二绝缘反射层具备第三通孔、第四通孔，通过设置第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔在外延层上的投影不重合，从而保证第一绝缘层和第二绝缘层在外延层上的投影可以覆盖整个外延层，从而改善了传统倒装芯片绝缘反射层开孔处反射率低的问题，从而使发光芯片的光提取效率增加，提升了芯片亮度。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种上述倒装发光芯片的制备方法，包括：

形成所述倒装发光芯片的所述外延层；

形成将所述外延层覆盖的所述第一绝缘反射层；

在所述第一绝缘反射层上分别形成所述第一通孔和所述第二通孔；

在所述第一绝缘反射层上分别形成所述第一导电层和所述第二导电层；