[发明专利]显示面板和制造该显示面板的方法在审
申请号: | 202111088896.X | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN114388572A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 赵龙遵;郑光哲;金美那;李璱比 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 | ||
1.一种制造显示面板的方法,所述显示面板具有开口、围绕所述开口的显示区域以及在所述开口与所述显示区域之间的非显示区域,所述方法包括以下步骤:
在所述显示区域中形成包括至少一个薄膜晶体管的像素电路;
形成电连接到所述至少一个薄膜晶体管的第一电极;
在所述非显示区域中形成具有多个狭缝的第一层;
在所述第一电极上形成包括与所述第一电极一起形成发光元件的中间层和第二电极的堆叠结构,所述中间层和所述第二电极覆盖所述第一层并且被设置在所述显示区域和所述非显示区域中;
通过朝向所述第一层、所述中间层和所述第二电极照射具有第一能量密度的第一激光束,将所述第二电极从所述中间层剥离;并且
通过朝向所述第一层照射具有大于所述第一能量密度的第二能量密度的第二激光束,剥离所述第一层和所述中间层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一层包括以与所述第一电极的工艺相同的工艺形成并且包括与所述第一电极的材料相同的材料的牺牲层。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述牺牲层包括氧化铟锡/银/氧化铟锡的多层结构。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个狭缝遍及所述第一层的整个区域被形成。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述多个狭缝被形成为:i)不连续的线性图案或不连续的弯曲图案,或ii)连续的线性图案或连续的弯曲图案。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二电极包括包含银的金属材料。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,在照射所述第一激光束的步骤中,
所述第一激光束穿过形成在所述第一层中的所述多个狭缝,并且然后穿过所述中间层,以被照射到所述第二电极的一个表面上。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一能量密度为0.7J/cm2或更小。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,在照射所述第二激光束的步骤中,所述第二激光束被照射到形成有所述多个狭缝的所述第一层的一个表面上。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二能量密度为1.5J/cm2或更大。
11.根据权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
在所述第一层的设置在围绕所述激光束被照射的起始点或结束点的至少一个非显示区域中的部分中形成图案。
12.根据权利要求11所述的方法,进一步包括以下步骤:
在所述非显示区域中以与在所述薄膜晶体管的每个元件与所述发光元件之间的绝缘层当中的多个绝缘层的工艺相同的工艺形成多层的堤坝,并且
其中所述激光束被照射的所述起始点的附近对应于与所述堤坝邻近的所述非显示区域,并且所述第一层中的所述图案位于与所述堤坝邻近的所述非显示区域中。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,所述激光束被照射的所述结束点的附近对应于与所述开口邻近的所述非显示区域,并且所述第一层中的所述图案位于与所述开口邻近的所述非显示区域中。
14.根据权利要求11所述的方法,进一步包括以下步骤:
遍及所述显示区域和所述非显示区域形成封装层,并且
其中所述封装层中的至少一个无机封装层延伸到一区域以覆盖所述第一层中的所述图案,所述第一层从所述区域被剥离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的