[发明专利]显示面板和制造该显示面板的方法在审
申请号: | 202111088896.X | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN114388572A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 赵龙遵;郑光哲;金美那;李璱比 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 | ||
本发明涉及显示面板和制造该显示面板的方法。该显示面板具有开口、围绕开口的显示区域以及在开口与显示区域之间的非显示区域,该方法包括以下步骤:在显示区域中形成包括至少一个薄膜晶体管的像素电路;形成电连接到至少一个薄膜晶体管的第一电极;在非显示区域中形成具有多个狭缝的第一层;在第一电极上形成包括与第一电极一起形成发光元件的中间层和第二电极的堆叠结构,中间层和第二电极覆盖第一层并且被设置在显示区域和非显示区域上;通过朝向堆叠的第一层、中间层和第二电极照射具有第一能量密度的第一激光束将第二电极从中间层剥离;并且通过朝向第一层照射具有大于第一密度的第二能量密度的第二激光束剥离第一层和中间层。
相关申请的交叉引用
本申请要求2020年10月20日提交的第10-2020-0135811号韩国专利申请的优先权和权益,该申请出于所有目的通过引用合并于此,如同在本文中充分地阐述一样。
技术领域
本发明的实施例总体涉及一种显示设备,并且更具体地,涉及一种显示面板和制造该显示面板的方法,该显示面板具有在显示面板的显示区域中形成的开口。
背景技术
通常,显示设备可以用在诸如智能电话、膝上型计算机、数码相机、可携式摄像机、便携式信息终端、笔记本或平板个人计算机的移动装置中,或者用在诸如台式计算机、电视、户外广告牌、用于展览的显示设备、用于车辆的仪表板或平视显示器(HUD)的电子装置中。
近来,在显示设备中,行业趋势是增大显示图像的显示区域的尺寸。在显示区域所占的面积增大的同时,连接到显示设备的各种功能已被增加。开口可以形成在显示区域中以增加各种功能。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景,并且因此,可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人发现,在制造显示面板中的开口期间,在形成围绕开口区域的非显示区域时可能产生颗粒。颗粒可能引起封装层中的裂纹,这可能损坏围绕开口的发光元件。
根据本发明的原理和实施例构造的显示面板以及制造该显示面板的例示性方法能够容易地控制在制造显示面板中的孔的工艺期间可能产生的颗粒。例如,2步激光剥离(LLO)法可以用于移除堆叠在围绕开口的非显示区域中的牺牲层、中间层和第二电极,而不产生有害颗粒的显著累积。
本发明构思的附加特征将在下面的描述中被阐述,并且将部分地从描述中显而易见,或者可以通过本发明构思的实践而习得。
根据本发明的一个方面,一种制造显示面板的方法,该显示面板具有开口、围绕开口的显示区域以及在开口与显示区域之间的非显示区域,该方法包括以下步骤:在显示区域中形成包括至少一个薄膜晶体管的像素电路;形成电连接到至少一个薄膜晶体管的第一电极;在非显示区域中形成具有多个狭缝的第一层;在第一电极上形成包括与第一电极一起形成发光元件的中间层和第二电极的堆叠结构,中间层和第二电极覆盖第一层并且被设置在显示区域和非显示区域中;通过朝向堆叠的第一层、中间层和第二电极照射具有第一能量密度的第一激光束将第二电极从中间层剥离;并且通过朝向第一层照射具有大于第一能量密度的第二能量密度的第二激光束剥离第一层和中间层。
第一层可以包括以与第一电极的工艺相同的工艺形成并且包括与第一电极的材料相同的材料的牺牲层。
牺牲层可以包括氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/ITO的多层结构。
多个狭缝可以遍及第一层的基本整个区域被形成。
多个狭缝可以被形成为:i)不连续的线性图案或不连续的弯曲图案,或ii)连续的线性图案或连续的弯曲图案。
第二电极可以包括包含Ag的金属材料。
在照射第一激光束的步骤中,第一激光束可以穿过形成在第一层中的多个狭缝,并且然后穿过中间层,以被照射到第二电极的一个表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的