[发明专利]一种半导体晶体刻蚀设备在审
申请号: | 202111090009.2 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN113793820A | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 黄敏谊 | 申请(专利权)人: | 广州皓景数码科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C30B33/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广东省广州市天河区中山大道中439*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 晶体 刻蚀 设备 | ||
1.一种半导体晶体刻蚀设备,包括机体以及所述机体中的覆膜腔,其特征在于:所述覆膜腔左右壁上对称设有第一电动滑轨,所述第一电动滑轨上滑动设有覆膜板,所述覆膜板上端固定设有覆膜装置,所述覆膜装置能够带有刻蚀图案的薄膜贴在晶体表面,所述机体中设有位于所述覆膜腔右侧的移动腔,所述移动腔底壁上滑动设有第二电动滑轨,所述第二电动滑轨上滑动设有移动板,所述机体中设有位于所述移动腔前侧的工作箱,所述第二电动滑轨前端延伸至所述工作箱中,所述工作箱顶壁上固定设有导管,所述导管中设有阀门,所述阀门能够将少量的刻蚀液滴下,所述工作箱右壁上设有第三电动滑轨,所述第三电动滑轨上滑动设有滑动块,所述滑动块中上下对称设有固定腔,所述固定腔后壁上设有第四电动滑轨,所述第四电动滑轨上滑动设有卡块,所述滑动块中设有模具块,所述模具块右端延伸至外界并能够更换,所述模具块中上下对称设有卡槽,所述卡块能够卡住所述卡槽中从而固定设有模具块的位置,所述模具块中设有上下贯穿的输液口,所述输液口位于所述导管正下方,所述模具块下端固定设有挡板,所述挡板不会被刻蚀液腐蚀,所述挡板形状与要刻蚀的图案一致。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶体刻蚀设备,其特征在于:所述移动板上端左右对称设有输液口,所述输液口上前后对称滑动设有夹紧块,所述夹紧块能够固定晶体的位置并使得装置能够加工不同大小的晶体。
3.根据权利要求2所述的一种半导体晶体刻蚀设备,其特征在于:所述夹紧块前端固定设有海绵垫,所述海绵垫能够减小所述夹紧块夹住晶体后对晶体的伤害,从而避免了晶体损坏。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶体刻蚀设备,其特征在于:所述机体中设有位于所述覆膜腔左侧的运输腔,所述运输腔左右壁之间转动设有滚筒轴,所述滚筒轴电机控制转动,所述滚筒轴上固定设有滚筒,所述滚筒能够运输要刻蚀的晶体。
5.根据权利要求4所述的一种半导体晶体刻蚀设备,其特征在于:所述机体中左右对称设有电机,所述电机前端动力连接有电机轴,所述电机轴上固定设有固定杆,所述固定杆左端固定设有固定块,所述固定块下端固定设有吸附块,所述吸附块能够运输晶体。
6.根据权利要求1所述的一种半导体晶体刻蚀设备,其特征在于:所述导管上端设有与外界连通的注液口,通过所述注液口能够向所述导管中加入。
7.刻蚀液,所述注液口上设有封闭块,所述封闭块能够控制所述注液口的开关。
8.根据权利要求1所述的一种半导体晶体刻蚀设备,其特征在于:所述滑动块在所述第三电动滑轨移动幅度很小,从而保证了所述挡板与晶体始终相抵。
9.根据权利要求1所述的一种半导体晶体刻蚀设备,其特征在于:所述阀门采用不会被刻蚀液腐蚀的材质从而确保了装置的使用寿命。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造