[发明专利]一种半导体晶体刻蚀设备

说明书

本发明公开了一种半导体晶体刻蚀设备，包括机体以及所述机体中的覆膜腔，所述覆膜腔左右壁上对称设有第一电动滑轨，所述第一电动滑轨上滑动设有覆膜板，所述覆膜板上端固定设有覆膜装置，所述覆膜装置能够带有刻蚀图案的薄膜贴在晶体表面，设备设有导管，通过导管能够在晶体表面滴加少量的刻蚀液从而对晶体进行刻蚀处理，避免了过多的刻蚀液对晶体造成的损坏，并且无需后续对刻蚀液进行回收处理，减少了工作步骤提高了效率，同时装置中设有挡板，挡板能够在刻蚀液对晶体进行刻蚀时防止其向刻痕的两侧移动，避免了刻蚀液腐蚀刻痕的两侧，从而对晶体进行保护，确保刻蚀后的晶体能够正常使用，并使得晶体上的刻痕更加美观。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种半导体晶体刻蚀设备。

背景技术

刻蚀可分为湿法刻蚀和干法刻蚀，而湿法刻蚀中采用刻蚀液对晶体进行刻蚀处理，然而刻蚀液在使用过程中无法准确的把握用量，并需要对多余的刻蚀液进行回收处理，加大了工作强度，并且刻蚀液在使用中容易对刻痕两侧的晶体进行腐蚀，从而容易对晶体造成破坏。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种半导体晶体刻蚀设备，解决了刻蚀机刻蚀液用量不好控制以及向对刻痕两侧腐蚀严重的问题。

本发明是通过以下技术方案来实现的。

本发明的一种半导体晶体刻蚀设备，包括机体以及所述机体中的覆膜腔，所述覆膜腔左右壁上对称设有第一电动滑轨，所述第一电动滑轨上滑动设有覆膜板，所述覆膜板上端固定设有覆膜装置，所述覆膜装置能够带有刻蚀图案的薄膜贴在晶体表面，所述机体中设有位于所述覆膜腔右侧的移动腔，所述移动腔底壁上滑动设有第二电动滑轨，所述第二电动滑轨上滑动设有移动板，所述机体中设有位于所述移动腔前侧的工作箱，所述第二电动滑轨前端延伸至所述工作箱中，所述工作箱顶壁上固定设有导管，所述导管中设有阀门，所述阀门能够将少量的刻蚀液滴下，所述工作箱右壁上设有第三电动滑轨，所述第三电动滑轨上滑动设有滑动块，所述滑动块中上下对称设有固定腔，所述固定腔后壁上设有第四电动滑轨，所述第四电动滑轨上滑动设有卡块，所述滑动块中设有模具块，所述模具块右端延伸至外界并能够更换，所述模具块中上下对称设有卡槽，所述卡块能够卡住所述卡槽中从而固定设有模具块的位置，所述模具块中设有上下贯穿的输液口，所述输液口位于所述导管正下方，所述模具块下端固定设有挡板，所述挡板不会被刻蚀液腐蚀，所述挡板形状与要刻蚀的图案一致。

优选地，所述移动板上端左右对称设有输液口，所述输液口上前后对称滑动设有夹紧块，所述夹紧块能够固定晶体的位置并使得装置能够加工不同大小的晶体。

优选地，所述夹紧块前端固定设有海绵垫，所述海绵垫能够减小所述夹紧块夹住晶体后对晶体的伤害，从而避免了晶体损坏。

优选地，所述机体中设有位于所述覆膜腔左侧的运输腔，所述运输腔左右壁之间转动设有滚筒轴，所述滚筒轴电机控制转动，所述滚筒轴上固定设有滚筒，所述滚筒能够运输要刻蚀的晶体。

优选地，所述机体中左右对称设有电机，所述电机前端动力连接有电机轴，所述电机轴上固定设有固定杆，所述固定杆左端固定设有固定块，所述固定块下端固定设有吸附块，所述吸附块能够运输晶体。

优选地，所述导管上端设有与外界连通的注液口，通过所述注液口能够向所述导管中加入刻蚀液，所述注液口上设有封闭块，所述封闭块能够控制所述注液口的开关。

优选地，所述滑动块在所述第三电动滑轨移动幅度很小，从而保证了所述挡板与晶体始终相抵。

优选地，所述阀门采用不会被刻蚀液腐蚀的材质从而确保了装置的使用寿命。

本发明的有益效果：设备设有导管，通过导管能够在晶体表面滴加少量的刻蚀液从而对晶体进行刻蚀处理，避免了过多的刻蚀液对晶体造成的损坏，并且无需后续对刻蚀液进行回收处理，减少了工作步骤提高了效率；