[发明专利]一种机械化学研磨保持环的表面处理方法

说明书

本发明涉及一种机械化学研磨保持环的表面处理方法，所述表面处理方法包括如下：对保持环的金属面依次进行第一研磨和第二研磨，对所述保持环的塑料面进行第三研磨；所述第一研磨中对保持环施加有0.3‑0.7MPa的压力；所述第二研磨中对保持环施加有0.8‑1.2MPa的压力。本发明提供的表面处理方法，通过对处理过程的特定设计，采用特定的处理过程保证得到的保持环具有良好的使用性能，显著提升了机械化学研磨中的研磨效率，进一步地的也延长了保持环的使用寿命。

技术领域

本发明涉及机械化学抛光领域，具体涉及一种机械化学研磨保持环的表面处理方法。

背景技术

目前，机械化学研磨是半导体器件制造工艺中的一种技术，用来对正在加工中的硅片或其它衬底材料进行平坦化处理。基本原理是将待抛光工件在一定的下压力及抛光液(由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液)的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动，借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除，并获得光洁表面。

如CN1786275A公开了一种机械化学抛光方法。该方法包括以下步骤：(1)将晶片放在抛光机上进行常规机械化学抛光，包括初试轻压和重压阶段；(2)在重压抛光结束后进入最终轻压阶段，停止抛光液供给，供给一定流量的清洗溶液，直到抛光结束。所用清洗溶液为水溶液，溶剂包含表面活性剂，浓度最好控制在10ppm到20％之间。清洗溶液还可包含pH值调节剂或者氧化剂，各成分的浓度都控制在10ppm到20％之间为好。清洗溶液可减小抛光布与晶片的摩擦力，从而减少晶片飞片现象，也降低了出现晶片划道的几率，还提高了晶片的亲水性，去除抛光液颗粒更有效，并有利于后续清洗效果。

CN111633563A公开了一种抛光介质制备装置和方法、机械化学抛光设备和方法。其中，所述一种抛光介质制备装置包括用于储存抛光液的储液罐、用于向所述储液罐内释放预定压力气体的气压泵、第一管道和第二管道；所述第一管道的一端与所述气压泵的出气口连接，另一端从所述储液罐的进液口延伸至所述储液罐的底部；所述第二管道从所述储液罐的底部延伸至所述储液罐外；所述第一管道延伸至所述储液罐的底部的一端设置有螺旋增压结构，所述螺旋增压结构用于促进从所述第一管道释放的气体与所述储液罐内的抛光液充分混合，以形成抛光介质。通过上述技术上方案，能够制备满足高效率抛光和高品质抛光的抛光介质。

然而现有研磨中用于固定研磨目标物的研磨保持环存在研磨效率低，保持环磨损率不均一，导致保持环的使用率较低。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种机械化学研磨保持环的表面处理方法，解决了目前保持环在机械化学研磨过程中由于保持环性能差导致的研磨效率低，保持环使用寿命短的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种机械化学研磨保持环的表面处理方法，所述表面处理方法包括如下：

对保持环的金属面依次进行第一研磨和第二研磨，对所述保持环的塑料面进行第三研磨；

所述第一研磨中对保持环施加有0.3-0.7MPa的压力；

所述第二研磨中对保持环施加有0.8-1.2MPa的压力。

本发明提供的表面处理方法，通过对处理过程的特定设计，采用特定的处理过程保证得到的保持环具有良好的使用性能，显著提升了机械化学研磨中的研磨效率，进一步地的也延长了保持环的使用寿命。

本发明中，所述第一研磨中对保持环施加有0.3-0.7MPa的压力，例如可以是0.3MPa、0.35MPa、0.4MPa、0.45MPa、0.5MPa、0.55MPa、0.6MPa、0.65MPa或0.7MPa等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的组合同样适用。