[发明专利]印刷电路板的光学测量方法在审
申请号: | 202111091300.1 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN113870201A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 江东恺 | 申请(专利权)人: | 东莞正扬电子机械有限公司 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06T7/12;G06T5/50 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;赵贯杰 |
地址: | 523000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 印刷 电路板 光学 测量方法 | ||
1.一种印刷电路板的光学测量方法,由一处理器执行,其特征在于,包括:
撷取该印刷电路板的一第一待测图像;
依据该印刷电路板上的多个蚀刻图案分割该第一待测图像以成为多个待测子图像,其中每一所述待测子图像包括一子蚀刻图案,该子蚀刻图案包括多个焊垫及分别位于所述焊垫间以连接所述焊垫的一导线;
在所述待测子图像的一短边方向上累加每一所述待测子图像的每一像素的像素亮度值以获取多个第一总像素亮度值;
对所述第一总像素亮度值微分以获取每一所述焊垫一上边缘及一下边缘的横轴像素坐标;
依据所述焊垫的数量分割每一所述待测子图像以成为多个第一焊垫图像;
在所述待测子图像的一长边方向上累加每一所述第一焊垫图像的每一像素的像素亮度值以获取多个第二总像素亮度值;以及
对所述第二总像素亮度值微分以获取每一所述焊垫一左边缘及一右边缘的纵轴像素坐标。
2.如请求项1所述的光学测量方法,其特征在于,更包括:
比对该印刷电路板的该第一待测图像与一样本电路板的一样本图像以校正所述蚀刻图案的一座标偏移量、一旋转偏移角度及一图案缩放比例。
3.如请求项2所述的光学测量方法,其特征在于,比对该印刷电路板的该第一待测图像与该样本电路板的该样本图像以校正所述蚀刻图案的该坐标偏移量、该旋转偏移角度及该图案缩放比例的步骤更包括:
撷取该第一待测图像中所述蚀刻图案的对角像素坐标以及该样本图像中所述蚀刻图案的对角像素坐标以计算该第一待测图像中所述蚀刻图案的该坐标偏移量、该旋转偏移角度及该图案缩放比例;以及
修正该第一待测图像中所述蚀刻图案该坐标偏移量、该旋转偏移角度及该图案缩放比例。
4.如请求项1所述的光学测量方法,其特征在于,更包括:
撷取通过一结构光以一投射角度投射至该印刷电路板的一第二待测图像,其中该结构光投射在每一所述焊垫上;
依据所述焊垫的数量分割该第二待测图像以成为多个第二焊垫图像;
依据每一所述焊垫的该左边缘及该右边缘的纵轴像素坐标分割每一所述第二焊垫图像以形成一左子图像、一焊垫子图像及一右子图像;
在所述待测子图像的该短边方向上分别累加每一所述第二焊垫图像的该左子图像、该焊垫子图像及该右子图像的每一像素的像素亮度值以获取一左总像素亮度值、一焊垫总像素亮度值以及一右总像素亮度值;
分别对该左总像素亮度值、该焊垫总像素亮度值以及该右总像素亮度值微分以获取该结构光投射于该左子图像、该焊垫子图像及该右子图像上的一上边缘及一下边缘的横轴像素坐标;
平均该结构光投射于该左子图像及该右子图像上的该上边缘及该下边缘的横轴像素坐标以获取一第一平均像素坐标。
5.如请求项1所述的光学测量方法,其特征在于,对所述第一总像素亮度值微分以获取每一所述焊垫该上边缘及该下边缘的横轴像素坐标的步骤更包括:
计算所述第一总像素亮度值微分后的多个斜率值;
选择所述斜率值中一斜率最大值及一斜率最小值;以及
分别选择对应该斜率最大值的横轴像素坐标及对应该斜率最小值的横轴像素坐标以作为每一所述焊垫的该上边缘及该下边缘的横轴像素坐标。
6.如请求项1所述的光学测量方法,其特征在于,对所述第二总像素亮度值微分以获取每一所述焊垫该左边缘及该右边缘的纵轴像素坐标的步骤更包括:
计算所述第二总像素亮度值微分后的多个斜率值;
选择所述斜率值中一斜率最大值及一斜率最小值;以及
分别选择对应该斜率最大值的纵轴像素坐标及对应该斜率最小值的纵轴像素坐标以作为每一所述焊垫的该左边缘及该右边缘的纵轴像素坐标。
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