[发明专利]栅极驱动电路和包括栅极驱动电路的显示装置在审
申请号: | 202111091369.4 | 申请日: | 2021-09-17 |
公开(公告)号: | CN114267287A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 罗埈洪;金江南;林省勋;李禹根;曺圭湜 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32;G09G3/3266 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李子光 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 栅极 驱动 电路 包括 显示装置 | ||
1.一种用于显示装置的栅极驱动电路,所述栅极驱动电路包括:
多个单元级,所述多个单元级彼此连接,
其中,所述多个单元级中的每个包括:
第一晶体管,所述第一晶体管具有下栅电极、布置在所述下栅电极上的上栅电极、布置在所述下栅电极与所述上栅电极之间的有源层、接触所述有源层的第一部分的第一电极和接触所述有源层的第二部分的第二电极;
第一电容器,所述第一电容器由所述下栅电极与所述上栅电极重叠的第一区限定;以及
第二电容器,所述第二电容器由所述上栅电极与所述第一电极重叠的第二区限定,
其中,所述上栅电极和所述下栅电极在所述上栅电极与所述下栅电极重叠的所述第一区中彼此电耦合以形成所述第一电容器。
2.如权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,所述第一晶体管是NMOS晶体管。
3.如权利要求2所述的栅极驱动电路,其中,当所述上栅电极处的电压为栅极高电压并且所述第二电极处的电压从栅极低电压改变为所述栅极高电压时,
所述第二电容器将所述上栅电极处的所述电压和所述第一电极处的电压自举。
4.如权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,所述下栅电极和所述上栅电极在平面视图中彼此完全地重叠。
5.如权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,所述有源层包括与所述上栅电极重叠的开口。
6.一种显示装置,包括:
衬底,所述衬底具有显示区域和非显示区域;
多个像素,所述多个像素在所述显示区域中;以及
栅极驱动电路,所述栅极驱动电路在所述非显示区域中,
其中,所述栅极驱动电路包括彼此连接的多个单元级,
其中,所述多个单元级中的每个包括:
第一晶体管,所述第一晶体管包括下栅电极、布置在所述下栅电极上的上栅电极、布置在所述下栅电极与所述上栅电极之间的有源层、接触所述有源层的第一部分的第一电极和接触所述有源层的第二部分的第二电极;
第一电容器,所述第一电容器由所述下栅电极与所述上栅电极重叠的第一区限定;以及
第二电容器,所述第二电容器由所述上栅电极与所述第一电极重叠的第二区限定,
其中,所述上栅电极和所述下栅电极在所述上栅电极与所述下栅电极重叠的所述第一区中彼此电耦合以形成所述第一电容器。
7.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一晶体管是NMOS晶体管。
8.如权利要求7所述的显示装置,其中,当所述上栅电极处的电压为栅极高电压并且所述第二电极处的电压从栅极低电压改变为所述栅极高电压时,
所述第二电容器将所述上栅电极处的所述电压和所述第一电极处的电压自举。
9.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述下栅电极和所述上栅电极在平面视图中彼此完全地重叠。
10.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述有源层包括与所述上栅电极重叠的开口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111091369.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。