[发明专利]栅极驱动电路和包括栅极驱动电路的显示装置在审

专利信息
申请号: 202111091369.4 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN114267287A 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 罗埈洪;金江南;林省勋;李禹根;曺圭湜 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G09G3/3266
代理公司: 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 代理人: 李子光
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 栅极 驱动 电路 包括 显示装置
【说明书】:

提供了栅极驱动电路和包括栅极驱动电路的显示装置。栅极驱动电路包括彼此连接的多个单元级,其中多个单元级中的每个包括第一晶体管、第一电容器和第二电容器,第一晶体管具有下栅电极、布置在下栅电极上的上栅电极、布置在下栅电极与上栅电极之间的有源层、接触有源层的第一部分的第一电极和接触有源层的第二部分的第二电极,第一电容器由下栅电极与上栅电极重叠的第一区限定,第二电容器由上栅电极与第一电极重叠的第二区限定,其中上栅电极和下栅电极在上栅电极与下栅电极重叠的第一区中彼此电耦合以形成第一电容器。

技术领域

本文中描述的实施方式涉及栅极驱动电路,更具体地,涉及包括栅极驱动电路的显示装置。

背景技术

显示装置包括显示区域和非显示区域。在显示区域中可形成有多个像素、多个栅极线和多个数据线。在非显示区域中可形成有栅极驱动电路。栅极驱动电路可将栅极信号发送到多个栅极线。多个像素可在栅极信号的控制下通过接收数据电压来发光。

为了减小栅极驱动电路的面积并且增加显示区域的面积,可在栅极驱动电路中使用双栅极晶体管。当使用双栅极晶体管时,可能需要用于电连接上栅电极和下栅电极的接触部。

在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本发明概念的背景,并因此,其可能包含不构成现有技术的信息。

发明内容

申请人意识到当使用双栅极晶体管时,栅极驱动电路的面积可能由于接触部分而增加。当在显示装置的栅极驱动电路中使用双栅极晶体管时,存在减小栅极驱动电路的面积的需求。

根据本发明的原理和说明性实现方式构造的栅极驱动电路以及包括栅极驱动电路的显示装置能够减小栅极驱动电路的面积,并由此增加可用于显示图像的显示面积。例如,栅极驱动电路可使用不需要用于将上栅电极连接到下栅电极的接触部分的双栅极晶体管。因此,与传统的栅极驱动电路和显示装置相比,栅极驱动电路可具有更小的尺寸,并且具有该栅极驱动电路的显示装置可具有更小的非显示区域。

根据实施方式的用于显示装置的栅极驱动电路可包括彼此从属连接的多个单元级,其中多个单元级中的每个包括第一晶体管、第一电容器和第二电容器,第一晶体管包括下栅电极、布置在下栅电极上的上栅电极、布置在下栅电极与上栅电极之间的有源层、接触有源层的第一部分的第一电极和接触有源层的第二部分的第二电极,第一电容器由下栅电极与上栅电极重叠的第一区限定,第二电容器由上栅电极与第一电极重叠的第二区限定,其中上栅电极和下栅电极在上栅电极与下栅电极重叠的第一区中彼此电耦合以形成第一电容器。

第一晶体管可为NMOS晶体管(简称为NMOS,并且PMOS类似于此)。

当上栅电极处的电压为栅极高电压并且第二电极处的电压从栅极低电压改变为栅极高电压时,第二电容器可将上栅电极处的电压和第一电极处的电压自举。

第一晶体管可为PMOS晶体管。

当上栅电极处的电压为栅极低电压并且第二电极处的电压从栅极高电压改变为栅极低电压时,第二电容器可将上栅电极处的电压和第一电极处的电压自举。

下栅电极和上栅电极可在平面视图中彼此完全地重叠。

有源层可包括与上栅电极重叠的开口。

第一晶体管可包括布置在下栅电极与有源层之间的下栅极绝缘层、布置在下栅极绝缘层与上栅电极之间并且覆盖有源层的第一绝缘层,以及布置在第一绝缘层上并且覆盖上栅电极的上栅极绝缘层。

多个单元级中的每个可包括能够响应于来自前一单元级的前一输出信号而操作的第二晶体管、响应于来自下一单元级的下一输出信号使第二电容器放电的第三晶体管以及响应于下一输出信号使输出信号放电的第四晶体管。

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