[发明专利]一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构

权利要求书

1.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

制作形成芯片载体，所述芯片载体包括多个芯片限位槽；

将每个待封装的芯片放置在所述芯片载体中的一个芯片限位槽中；

在各所述芯片上制作形成重布线结构；

在所述重布线结构远离所述芯片的一侧进行植球，形成与所述重布线结构连接的导电焊球，用于实现所述芯片与外部电子器件的电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在各所述芯片上制作形成重布线结构之前，所述方法还包括：

在各所述芯片与对应的芯片限位槽之间形成的间隙中填充介电材料，形成介电填充层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述制作形成芯片载体，包括：

将芯片封装基材放置在塑封机台上，通过塑封设备对所述芯片封装基材进行塑封形成具有多个所述芯片限位槽的所述芯片载体。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述芯片封装结构进行切割得到多个独立的封装芯片。

5.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括芯片载体以及芯片，所述芯片载体包括芯片限位槽，所述芯片固定设置于所述芯片限位槽中。

6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片与所述芯片限位槽的内侧边缘之间具有间隙，所述芯片封装结构还包括位于所述间隙内的介电填充层。

7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述介电填充层的材料与所述芯片载体的材料不同，所述介电填充层的材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、PBO中的其中至少一种。

8.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片限位槽为倒梯形结构，所述芯片限位槽的槽底的宽度小于所述芯片限位槽的槽口的宽度。

9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述介电填充层靠近所述芯片限位槽的槽底一侧的宽度小于靠近所述槽口一侧的宽度，所述介电填充层的宽度从所述槽底一侧往所述槽口一侧的延伸方向上逐渐增大。

10.根据权利要求5-8任意一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括重布线结构以及形成于所述重布线结构上的导电焊球，所述重布线结构与所述芯片的导电针脚电性连接，所述重布线结构包括多个重布线层，相邻的两个重布线层通过位于该相邻的两个重布线层之间的绝缘隔离层上设置的通孔电性连接。