[发明专利]一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构在审

专利信息
申请号: 202111092053.7 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN113658874A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 吴政达;沈明皓;麻泽宇;章霞 申请(专利权)人: 成都奕斯伟系统集成电路有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/52;H01L23/13;H01L23/14
代理公司: 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 代理人: 唐维虎
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 结构 制作方法
【说明书】:

本申请实施例提供一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构,本实施例中,通过预先制作形成包括多个芯片限位槽的芯片载体,再将每个待封装的芯片放置在所述芯片载体中的一个芯片限位槽中,然后在各所述芯片上制作形成重布线结构,并在所述重布线结构远离所述芯片的一侧进行植球,形成与所述重布线结构连接的导电焊球,用于实现所述芯片与外部电子器件的电连接,得到完成封装的芯片封装结构。如此,可以防止各芯片在封装制程的各制作步骤中发生位移而导致的芯片封装不良,进而提升芯片的封装效果以及封装芯片的性能。

技术领域

本申请涉及半导体封装技术领域,具体而言,涉及一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构。

背景技术

在芯片封装结构的制作过程中,一种常见的封装方法是采用塑封材料(如EpoxyMolding Compound,环氧树脂模塑料)对芯片实现封装。这种封装方式一般是通过封装基板(Substrate)对芯片进行支撑,然后从封装基板的另一侧对放置于封装基板上的各个芯片采用所述塑封材料实现塑封,完成芯片的封装过程。然而,发明人经研究发现,这种封装方式,在塑封过程中可能会因为塑封材料的流动以及温度变化导致的塑封材料涨缩等因素而使得芯片在所述封装基板上产生位移,进而导致芯片的封装不良。

发明内容

基于上述内容,为解决上述问题,本申请提供一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构,可以防止各芯片在封装制程的各制作步骤中发生位移而导致的芯片封装不良,进而提升芯片的封装效果以及封装芯片的性能。

首先,第一方面,本申请实施例提供一种芯片封装结构的制作方法,所述方法包括:

制作形成芯片载体,所述芯片载体包括多个芯片限位槽;

将每个待封装的芯片放置在所述芯片载体中的一个芯片限位槽中;

在各所述芯片上制作形成重布线结构;

在所述重布线结构远离所述芯片的一侧进行植球,形成与所述重布线结构连接的导电焊球,用于实现所述芯片与外部电子器件的电连接,得到完成封装的芯片封装结构。

基于第一方面的一种可能的实施方式,在各所述芯片上制作形成重布线结构之前,所述方法还包括:

在各所述芯片与对应的芯片限位槽之间形成的间隙中填充介电材料,形成介电填充层。

基于第一方面的一种可能的实施方式,所述制作形成芯片载体,包括:

将芯片封装基材放置在塑封机台上,通过塑封设备对所述芯片封装基材进行塑封形成具有多个所述芯片限位槽的所述芯片载体。

基于第一方面的一种可能的实施方式,所述方法还包括:

对所述芯片封装结构进行切割得到多个独立的封装芯片。

第二方面,本申请实施例还提供一种芯片封装结构,所述芯片封装结构包括芯片载体以及芯片,所述芯片载体包括芯片限位槽,所述芯片固定设置于所述芯片限位槽中。

基于第二方面的一种可能的实施方式,所述芯片与所述芯片限位槽的内侧边缘之间具有间隙,所述芯片封装结构还包括位于所述间隙内的介电填充层。

基于第二方面的一种可能的实施方式,所述介电填充层的材料与所述芯片载体的材料不同,所述介电填充层的材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、PBO中的其中至少一种。

基于第二方面的一种可能的实施方式,所述芯片限位槽为倒梯形结构,所述芯片限位槽的槽底的宽度小于所述芯片限位槽的槽口的宽度。

基于第二方面的一种可能的实施方式,所述介电填充层靠近所述芯片限位槽的槽底一侧的宽度小于靠近所述槽口一侧的宽度,所述介电填充层的宽度从所述槽底一侧往所述槽口一侧的延伸方向上逐渐增大。

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