[发明专利]散热背板及其制备方法、半导体结构及其制备方法在审
申请号: | 202111093293.9 | 申请日: | 2021-09-17 |
公开(公告)号: | CN115832160A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 王斌;萧俊龙;汪楷伦;范春林;汪庆 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 成亚婷 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 散热 背板 及其 制备 方法 半导体 结构 | ||
1.一种散热背板,其特征在于,包括:
衬底;
斜向悬空电极结构,位于所述衬底的表面;
散热通孔,位于所述衬底内。
2.如权利要求1所述的散热背板,其特征在于,所述斜向悬空电极结构包括:
第一斜向悬空电极,位于所述衬底的表面;
第二斜向悬空电极,位于所述衬底的表面,所述第二斜向悬空电极的延伸方向与所述第一斜向悬空电极的延伸方向相交。
3.如权利要求2所述的散热背板,其特征在于,所述散热通孔位于同一所述斜向悬空电极结构的所述第一斜向悬空电极与所述第二斜向悬空电极之间。
4.一种散热背板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
于所述衬底的表面形成斜向悬空电极结构;
于所述衬底中形成散热通孔。
5.如权利要求4所述的散热背板的制备方法,其特征在于,所述于所述衬底的表面形成斜向悬空电极结构,包括:
于所述衬底表面形成牺牲层;
对所述牺牲层进行图形化处理,以得到多个间隔排布的梯形图像单元;
于所述梯形图像单元的侧壁形成所述斜向悬空电极结构,所述斜向悬空电极结构一端与所述衬底的表面连接;
去除所述梯形图像单元。
6.如权利要求5所述的散热背板的制备方法,其特征在于,所述于所述衬底中形成散热通孔,包括:
翻转所述衬底,于所述衬底远离所述斜向悬空电极结构的表面形成图形化光刻胶层,所述图形化光刻胶层定义成所述散热通孔的形状及位置;
基于所述图形化光刻胶层于所述衬底中形成所述散热通孔。
7.如权利要求6所述的散热背板的制备方法,其特征在于,
所述翻转所述衬底之前,还包括:于所述斜向悬空电极结构之间填充电极保护层;
形成所述散热通孔之后,还包括:去除所述电极保护层。
8.如权利要求5至7中任一项所述的散热背板的制备方法,其特征在于,所述斜向悬空电极结构包括第一斜向悬空电极及第二斜向悬空电极,所述第一斜向悬空电极位于所述梯形图像单元的一侧壁,所述第二斜向悬空电极位于同一所述梯形图像单元相对的另一侧壁;所述散热通孔位于同一所述斜向悬空电极结构的所述第一斜向悬空电极与所述第二斜向悬空电极之间。
9.一种半导体结构,其特征在于,包括:
如权利要求1至3任一项所述的散热背板;
芯片,所述芯片位于所述斜向悬空电极结构远离所述衬底的表面。
10.一种半导体结构的制备方法,其特征在于,包括:
采用权利要求4-8任一项所述的散热背板的制备方法制备所述散热背板;
于所述散热背板表面形成芯片,所述芯片与所述斜向悬空电极结构远离所述衬底的表面连接。
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