[发明专利]扇出型封装结构在审
| 申请号： | 202111093731.1 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN114023662A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 翁振源;李铮鸿;闵繁宇;刘修吉;赖仲航 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/31;H01L23/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扇出型 封装 结构 | ||
1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：
并排设置的第一电子元件和第二电子元件，所述第一电子元件包括：
功能凸块阵列，位于所述第一电子元件的下表面的中心处；
伪凸块，位于所述功能凸块阵列和所述第一电子元件的所述下表面的边界之间；
线路层，位于所述第一电子元件和所述第二电子元件下方，所述第二电子元件和所述第一电子元件的所述功能凸块阵列电连接至所述线路层，所述第一电子元件的所述伪凸块物理接触所述线路层。
2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述伪凸块邻接所述边界。
3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述伪凸块位于所述下表面的拐角处。
4.根据权利要求3所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述伪凸块位于所述下表面的中心与所述拐角的连线的两侧。
5.根据权利要求4所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述伪凸块还位于所述下表面的所述中心与所述拐角的所述连线上。
6.根据权利要求3至5任一项所述的扇出型封装结构，其特征在于，位于单个所述拐角处的所述伪凸块具有L形形状。
7.根据权利要求6所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述L形平行于所述拐角处的所述边界。
8.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括：
填充层，包覆所述第一电子元件和所述第二电子元件。
9.根据权利要求8所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括：
粘合层，位于所述第一电子元件、所述第二电子元件和所述线路层之间，所述第一电子元件的所述功能凸块阵列和所述伪凸块穿过所述粘合层。
10.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二电子元件的下表面具有第二凸块，所述第二凸块与所述伪凸块之间具有第三距离，所述伪凸块与所述边界之间具有第一距离，所述第一距离与所述第三距离的比值位于0至0.5的范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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