[发明专利]灰阶掩模版结构在审

专利信息
申请号: 202111094251.7 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN113885294A 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 王辉 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 灰阶掩 模版 结构
【权利要求书】:

1.一种灰阶掩模版结构,其特征在于,所述灰阶掩模版结构包括遮光部、半透光部和透光部;

所述半透光部位于所述遮光部和透光部之间,且所述半透光部围绕所述透光部的边缘设置;

所述半透光部位的透光率,从所述半透光部靠近所述透光部的一侧至所述半透光部靠近所述遮光部的一侧逐渐递减;

所述透光部的边缘形成边缘转角,所述半透光部包括与所述边缘转角相对应的半透光转角区,所述半透光转角区用于将相邻两个延伸方向不同的半透光侧边区相连;

所述半透光转角区中设有多层透光率调整结构,多层所述透光率调整结构由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧逐层间隔排布;

各层所述透光率调整结构的透光率,由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧逐层递减。

2.如权利要求1所述的灰阶掩模版结构,其特征在于,各层所述透光率调整结构分别包括一组透光孔组;

所述透光孔组在各自所述透光率调整结构上的透光孔密度,由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧逐层递减,使得各层所述透光率调整结构的透光率,由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧逐层递减。

3.如权利要求2所述的灰阶掩模版结构,其特征在于,各组所述透光孔组,均包括多个相间隔的透光孔。

除最靠近所述透光部的透光孔组以外的其他组所述透光孔组的排列形状,与所述透光部的边缘转角形状一致。

4.如权利要求3所述的灰阶掩模版结构,其特征在于,最靠近所述透光部的透光孔组,其远离所述边缘转角的外缘形状,与所述透光部的边缘转角形状一致。

5.如权利要求1所述的灰阶掩模版结构,其特征在于,相邻两层透光率调整结构之间的间距,由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧,逐渐增大。

6.如权利要求5所述的灰阶掩模版结构,其特征在于,当前相邻两层透光率调整结构之间的间距,比上一相邻两层透光率调整结构之间的间距增大5nm~10nm。

7.如权利要求1所述的灰阶掩模版结构,其特征在于,从第二层透光率调整结构开始,当前透光率调整结构的透光率,比上一层透光率调整结构的透光率减少5%~20%。

8.如权利要求1或7所述的灰阶掩模版结构,其特征在于,第一层透光率调整结构的透光率可以为85%~95%。

9.如权利要求1所述的灰阶掩模版结构,其特征在于,所述透光部包括多条边缘,相邻两条延伸方向不同的边缘相交形成所述边缘转角,

在对应所述透光部各条边缘位置处,形成所述半透光部的半透光侧边区;

各个所述半透光侧边区的延伸方向,与所述半透光侧边区各自对应的透光部边缘的延伸方向一致。

10.如权利要求9所述的灰阶掩模版结构,其特征在于,所述半透光转角区包括顶角位置和两条侧边位置,两条所述侧边位置相交形成所述顶角位置;

用于形成所述边缘转角的两条边缘,其在各自延伸方向上的延长线为所述半透光转角区的两条侧边位置;

所述透光部的边缘转角为所述半透光转角区的顶角位置。

11.如权利要求10所述的灰阶掩模版结构,其特征在于,半透光转角区中的各层透光率调整结构,均跨接在两条所述侧边位置之间;

除最靠近所述顶角位置的透光率调整结构以外的其他各层透光率调整结构,其形状与所述半透光转角区对应的所述边缘转角的形状一致。

12.如权利要求10所述的灰阶掩模版结构,其特征在于,所述最靠近所述顶角位置的透光率调整结构,其靠近所述顶角位置的外缘形状与对应的所述边缘转角的形状一致,远离所述顶角位置的内缘形状与所述顶角位置的形状一致。

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