[发明专利]灰阶掩模版结构

说明书

本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种灰阶掩模版结构。灰阶掩模版结构包括遮光部、半透光部和透光部；半透光部位于遮光部和透光部之间，且半透光部围绕透光部的边缘设置；半透光部位的透光率，从半透光部靠近透光部的一侧至半透光部靠近遮光部的一侧逐渐递减；透光部的边缘形成边缘转角，半透光部包括与边缘转角相对应的半透光转角区，半透光转角区用于将相邻两个延伸方向不同的半透光侧边区相连；半透光转角区中设有多层透光率调整结构，多层透光率调整结构由靠近透光部的一侧至靠近遮光部的一侧逐层间隔排布；各层透光率调整结构的透光率，由靠近透光部的一侧至靠近遮光部的一侧逐层递减。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种灰阶掩模版结构。

背景技术

芯片上的半导体集成电路结构是通过掩模版和光刻技术制作形成的。光刻技术是集成电路生产中的一个重要技术，通常，先在半导体的表面喷涂光刻胶形成光敏层，该光刻胶为一种在紫外线照射下发生化学反应的有机聚合物，再使得带有特定图案的掩模版对准光敏层，使得紫外线穿过掩模板照射到光敏层上，被紫外线照射到的光刻胶发生化学反应，从而实现将掩模版上的特定图案转移到光敏层上。在显影后，该光敏层上的特定图案显示出来。

带有特定图案的光敏层包括阻挡部和窗口部，其中，阻挡部为光敏层中带有光刻胶的部分，窗口部为光敏层中光刻胶被显影去除的部分。在后续步骤中，可以以带有特定图案的光敏层作为阻挡层，进行刻蚀或等离子注入等工艺，使得光敏层的窗口部位置处的半导体被刻蚀或者被等离子注入。

通常光敏层的窗口部110与阻挡部120交界的窗口边缘111为竖直(如图1a所示)，但在一些特殊制程要求光敏层的窗口边缘111具有一定倾斜坡度(如图1b所示)。但是，相关技术中的掩模版使得光敏层形成带有转角的窗口部过程中，转角位置处的窗口边缘的坡度平滑度难以达到要求。

发明内容

本申请提供了一种灰阶掩模版结构，可以解决相关技术中的掩模版使得光敏层形成带有转角的窗口部过程中，转角位置处的窗口边缘的坡度平滑度难以达到要求的问题。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种灰阶掩模版结构，所述灰阶掩模版结构包括遮光部、半透光部和透光部；

所述半透光部位于所述遮光部和透光部之间，且所述半透光部围绕所述透光部的边缘设置；

所述半透光部位的透光率，从所述半透光部靠近所述透光部的一侧至所述半透光部靠近所述遮光部的一侧逐渐递减；

所述透光部的边缘形成边缘转角，所述半透光部包括与所述边缘转角相对应的半透光转角区，所述半透光转角区用于将相邻两个延伸方向不同的半透光侧边区相连；

所述半透光转角区中设有多层透光率调整结构，多层所述透光率调整结构由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧逐层间隔排布；

各层所述透光率调整结构的透光率，由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧逐层递减。

可选地，各层所述透光率调整结构分别包括一组透光孔组；

所述透光孔组在各自所述透光率调整结构上的透光孔密度，由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧逐层递减，使得各层所述透光率调整结构的透光率，由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧逐层递减。

可选地，各组所述透光孔组，均包括多个相间隔的透光孔。

除最靠近所述透光部的透光孔组以外的其他组所述透光孔组的排列形状，与所述透光部的边缘转角形状一致。

可选地，最靠近所述透光部的透光孔组，其远离所述边缘转角的外缘形状，与所述透光部的边缘转角形状一致。

可选地，相邻两层透光率调整结构之间的间距，由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧，逐渐增大。