[发明专利]发声装置和电子设备在审

专利信息
申请号: 202111095478.3 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN113691912A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 王苗苗;郭晓冬 申请(专利权)人: 歌尔股份有限公司
主分类号: H04R9/06 分类号: H04R9/06;H04R9/02;H04R9/04
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 薛福玲
地址: 261031 山东省潍*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 发声 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种发声装置,其特征在于,所述发声装置包括:

盆架,所述盆架设有容置槽;

磁路系统,所述磁路系统设于所述容置槽内,所述磁路系统设有安装腔和连通所述安装腔的前声通道,所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述安装腔在所述容置槽底壁的投影面积;

第一振动系统,所述第一振动系统设于所述安装腔内,并对应所述前声通道设置;及

第二振动系统,所述第二振动系统盖合所述容置槽的槽口,并与所述磁路系统相对,所述第二振动系统设有连通孔,所述连通孔与所述前声通道对应连通。

2.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述磁路系统包括:

中心磁路组,所述中心磁路组包括第一磁路组和第二磁路组,所述第一磁路组设于所述容置槽内,所述第二磁路组设于所述第一磁路组背向所述容置槽底壁的一侧,并与所述第一磁路组围合形成所述安装腔,所述第二磁路组设有所述前声通道;和

边磁路组,所述边磁路组设于所述容置槽内,并环绕所述第一磁路组、所述第二磁路组设置,所述边磁路组与所述第一磁路组、所述第二磁路组间隔以形成第一磁间隙。

3.如权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述第一磁路组设有第二磁间隙,所述第二磁间隙与所述前声通道位于所述第一振动系统的相对两侧;

其中,所述第二磁间隙在所述容置槽底壁的投影环绕所述前声通道在所述容置槽底壁的投影。

4.如权利要求3所述的发声装置,其特征在于,所述第一磁路组包括:

中心磁路部,所述中心磁路部设于所述容置槽内;和

边磁路部,所述边磁路部设于所述容置槽内,并环绕所述中心磁路部设置,所述边磁路部与所述中心磁路部间隔以形成所述第二磁间隙,所述第二磁路组设于所述边磁路部背向所述容置槽底壁的一侧,使所述第二磁路组、所述边磁路部及所述中心磁路部围合形成所述安装腔,所述边磁路组与所述边磁路部、所述第二磁路组间隔以形成所述第一磁间隙;

其中,所述前声通道在所述容置槽底壁的投影位于所述中心磁路部在所述容置槽底壁的投影范围内,且所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述中心磁路部在所述容置槽底壁的投影面积。

5.如权利要求4所述的发声装置,其特征在于,所述中心磁路部包括中心磁铁和中心华司,所述中心磁铁设于所述容置槽内,并与所述边磁路部间隔,所述中心华司设于所述中心磁铁背向所述容置槽的底壁,并与所述边磁路部间隔;

所述边磁路部包括第一边磁铁和第一边华司,所述第一边磁铁设于所述容置槽内,并位于所述中心磁铁和所述边磁路组之间,所述第一边华司设于所述第一边磁铁背向所述容置槽底壁的一侧,并位于所述中心华司和所述边磁路组之间,所述第二磁路组设于所述第一边华司背向所述第一边磁铁的一侧,并与所述中心华司间隔且相对;

所述第一边华司面向所述中心华司的一侧设有安装槽,所述第一振动系统的周缘容纳并限位于所述安装槽内。

6.如权利要求5所述的发声装置,其特征在于,所述第一振动系统包括:

第一振膜,所述第一振膜的周缘限位于所述安装槽内,并与所述中心华司相对,所述第一振膜位于所述第二磁路组和所述中心华司之间;和

第一音圈,所述第一音圈与所述第一振膜面向所述中心华司的一侧连接,并与所述第二磁间隙对应,所述第一音圈环绕所述中心华司设置。

7.如权利要求6所述的发声装置,其特征在于,所述第一振动系统还包括设于所述安装槽的两个支撑块,所述第一振膜的周缘夹设于两个所述支撑块之间;

且/或,所述第二磁路组包括环形磁铁和环形华司,所述环形磁铁设于所述第一边华司背向所述第一边磁铁的一侧,并与所述中心华司间隔且相对,所述环形华司设于所述环形磁铁背向所述第一边华司的一侧,并与所述第二振动系统连接,所述前声通道贯通所述环形磁铁和所述环形华司;

且/或,所述中心华司的面积小于所述中心磁铁的面积;

且/或,所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述中心华司的面积;

且/或,所述第一振膜为平面振膜。

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