[发明专利]发声装置和电子设备在审
申请号: | 202111095478.3 | 申请日: | 2021-09-17 |
公开(公告)号: | CN113691912A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 王苗苗;郭晓冬 | 申请(专利权)人: | 歌尔股份有限公司 |
主分类号: | H04R9/06 | 分类号: | H04R9/06;H04R9/02;H04R9/04 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 薛福玲 |
地址: | 261031 山东省潍*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发声 装置 电子设备 | ||
本发明公开一种发声装置和电子设备,所述发声装置包括盆架、磁路系统、第一振动系统及第二振动系统,所述盆架设有容置槽,所述磁路系统设于所述容置槽内,所述磁路系统设有安装腔和连通所述安装腔的前声通道,所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述安装腔在所述容置槽底壁的投影面积,所述第一振动系统设于所述安装腔内,并对应所述前声通道设置,所述第二振动系统盖合所述容置槽的槽口,并与所述磁路系统相对,所述第二振动系统设有连通孔,所述连通孔与所述前声通道对应连通。本发明旨在提供一种内嵌式双单元结构的发声装置,使得发声装置同时保证低频段和高频段的音质,且不增加发声装置的体积。
技术领域
本发明涉及电声转换技术领域,特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的电子设备。
背景技术
发声器件是电子设备中的重要声学部件,其为一种把电信号转变为声信号的换能器件。根据当前TWS发声器件市场对声学相关的需求,主要是ANC和高频音质提升,即需要满足对全频段音质的追求,同时发声器件单元内核又逐渐小型化,市场急需要同时兼顾低频段和高频段的声学性能且体积又不大的内核。但是,相关技术中的发声器件无法兼顾低频段和高频段的音质,同时不增加发声器件的体积。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种发声装置和电子设备,旨在提供一种内嵌式双单元结构的发声装置,使得发声装置同时保证低频段和高频段的音质,且不增加发声装置的体积。
为实现上述目的,本发明提出一种发声装置,所述发声装置包括:
盆架,所述盆架设有容置槽;
磁路系统,所述磁路系统设于所述容置槽内,所述磁路系统设有安装腔和连通所述安装腔的前声通道,所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述安装腔在所述容置槽底壁的投影面积;
第一振动系统,所述第一振动系统设于所述安装腔内,并对应所述前声通道设置;及
第二振动系统,所述第二振动系统盖合所述容置槽的槽口,并与所述磁路系统相对,所述第二振动系统设有连通孔,所述连通孔与所述前声通道对应连通。
在一实施例中,所述磁路系统包括:
中心磁路组,所述中心磁路组包括第一磁路组和第二磁路组,所述第一磁路组设于所述容置槽内,所述第二磁路组设于所述第一磁路组背向所述容置槽底壁的一侧,并与所述第一磁路组围合形成所述安装腔,所述第二磁路组设有所述前声通道;和
边磁路组,所述边磁路组设于所述容置槽内,并环绕所述第一磁路组、所述第二磁路组设置,所述边磁路组与所述第一磁路组、所述第二磁路组间隔以形成第一磁间隙。
在一实施例中,所述第一磁路组设有第二磁间隙,所述第二磁间隙与所述前声通道位于所述第一振动系统的相对两侧;
其中,所述第二磁间隙在所述容置槽底壁的投影环绕所述前声通道在所述容置槽底壁的投影。
在一实施例中,所述第一磁路组包括:
中心磁路部,所述中心磁路部设于所述容置槽内;和
边磁路部,所述边磁路部设于所述容置槽内,并环绕所述中心磁路部设置,所述边磁路部与所述中心磁路部间隔以形成所述第二磁间隙,所述第二磁路组设于所述边磁路部背向所述容置槽底壁的一侧,使所述第二磁路组、所述边磁路部及所述中心磁路部围合形成所述安装腔,所述边磁路组与所述边磁路部、所述第二磁路组间隔以形成所述第一磁间隙;
其中,所述前声通道在所述容置槽底壁的投影位于所述中心磁路部在所述容置槽底壁的投影范围内,且所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述中心磁路部在所述容置槽底壁的投影面积。
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