[发明专利]形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件在审
| 申请号： | 202111097139.9 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113809009A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 侯会丹;姚兰;石艳伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/28;H01L27/088;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 多晶 方法 以及 包括 半导体器件 | ||
1.一种形成多晶硅栅的方法，其特征在于，包括：
通过在衬底内形成器件绝缘区域将所述衬底分割成高压器件区域和低压器件区域；
在所述高压器件区域形成凹槽；
在所述衬底上形成栅极氧化层；
在所述栅极氧化层上沉淀多晶硅层；以及
刻蚀去除所述多晶硅层的至少一部分，以使得所述多晶硅层对应于所述低压器件区域的部分的厚度不同于其对应于所述高压器件区域的部分的厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述多晶硅进行刻蚀之后，所述方法还包括：
对所述高压器件区域和所述低压器件区域进行离子注入，其中，对所述高压器件区域进行离子注入的能量大于对所述低压器件区域进行离子注入的能量。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极氧化层对应于所述高压器件区域的部分的厚度大于其对应于所述低压器件区域的部分的厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层对应于所述高压器件区域的部分的厚度大于其对应于所述低压器件区域的部分的厚度。
5.根据权利1-3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述栅极氧化层上沉淀多晶硅层后，所述方法还包括：
研磨所述多晶硅层，使所述多晶硅层的上表面在一个水平面上。
6.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，通过在其内部的器件绝缘区域被分割成高压器件区域和低压器件区域，其中在所述高压器件区域中形成有凹槽；
栅极氧化层，位于所述衬底上；
第一多晶硅栅，形成在所述高压器件区域的所述凹槽上；以及
第二多晶硅栅，形成在所述低压器件区域且所述第二多晶硅栅的上表面与所述第一多晶硅栅的上表面在一个水平面上。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极氧化层对应于所述高压器件区域的部分的厚度大于其对应于所述低压器件区域的部分的厚度。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一多晶硅栅厚度大于所述第二多晶硅栅的厚度。
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