[发明专利]半导体电路、控制板和半导体电路的温度控制方法

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括：

电路基板，所述电路基板上设有绝缘层；

电路层，所述电路层设置在所述绝缘层上；

引脚组件，所述引脚组件包括第一引脚组件和第二引脚组件，所述第一引脚组件的第一端、所述第二引脚组件的第一端分别与所述电路层电性连接；

密封本体，所述密封本体至少包裹设置所述电路层的电路基板的一表面，所述第一引脚组件的第二端、所述第二引脚组件的第二端分别从所述密封本体露出；

其中，所述电路层包括控制芯片、第一测温元件和发热器件；所述第一测温元件和所述发热器件分别连接所述控制芯片；所述第一引脚的第二端用于连接第二测温元件；所述第一测温元件配置为检测所述半导体电路内部的温度，得到内部温度信号；所述第二测温元件配置为检测所述半导体电路外部的温度，得到外部温度信号；所述控制芯片配置为获取所述第一测温元件传输的所述内部温度信号和所述第二测温元件传输的所述外部温度信号，对所述内部温度信号和所述外部温度信号进行处理，并在所述处理的结果满足预设过温保护条件时，将当前工作状态切换为过温保护状态。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述控制芯片还配置为在对应所述外部温度信号的外部温度数值大于或等于预设第一温度阈值时，将当前工作状态切换为所述过温保护状态。

3.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述控制芯片还配置为在对应所述内部温度信号的内部温度数值大于或等于预设第二温度阈值时，将当前工作状态切换为所述过温保护状态。

4.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述控制芯片还配置为在所述内部温度信号与所述外部温度信号的温度差值大于或等于第三温度阈值时，将当前工作状态切换为所述过温保护状态；

所述控制芯片还配置为在对应所述外部温度信号的外部温度数值小于所述第一温度阈值、对应所述内部温度信号的内部温度数值小于所述第二温度阈值、且所述内部温度信号与所述外部温度信号的温度差值小于第三温度阈值时，将当前工作状态切换为正常工作状态。

5.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第一测温元件和所述第二测温元件分别为热敏电阻。

6.一种控制板，其特征在于，包括：控制基板，第二测温元件和如权利要求1至5任一项所述的半导体电路；所述第二测温元件和所述半导体电路分别设置在所述控制基板上；所述第二测温元件与所述半导体电路连接。

7.一种根据权利要求1至5所述的半导体电路的温度控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取第一测温元件传输的内部温度信号和第二测温元件传输的外部温度信号；所述内部温度信号为所述第一测温元件检测半导体电路内部的温度得到；所述外部温度信号为所述第二测温元件检测半导体电路外部的温度得到；

对所述内部温度信号和所述外部温度信号进行处理，得到处理的结果；

在所述处理的结果满足预设过温保护条件时，将当前工作状态切换为过温保护状态。

8.根据权利要求7所述的半导体电路的温度控制方法，其特征在于，所述在所述处理的结果满足预设过温保护条件时，将当前工作状态切换为过温保护状态，包括：

在对应所述外部温度信号的外部温度数值大于或等于预设第一温度阈值时，将当前工作状态切换为所述过温保护状态。

9.根据权利要求7所述的半导体电路的温度控制方法，其特征在于，所述在所述处理的结果满足预设过温保护条件时，将当前工作状态切换为过温保护状态，还包括：

在对应所述内部温度信号的内部温度数值大于或等于预设第二温度阈值时，将当前工作状态切换为所述过温保护状态。

10.根据权利要求7所述的半导体电路的温度控制方法，其特征在于，所述在所述处理的结果满足预设过温保护条件时，将当前工作状态切换为过温保护状态，还包括：

在所述内部温度信号与所述外部温度信号的温度差值大于或等于第三温度阈值时，将当前工作状态切换为所述过温保护状态；

在对应所述外部温度信号的外部温度数值小于所述第一温度阈值、对应所述内部温度信号的内部温度数值小于所述第二温度阈值、且所述内部温度信号与所述外部温度信号的温度差值小于第三温度阈值时，将当前工作状态切换为正常工作状态。