[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供半导体衬底，定义出鳍体的形成区域并对所述半导体衬底进行刻蚀形成所述鳍体，所述鳍体之间具有间隔区域；

步骤二、采用FCVD工艺沉积FCVD氧化层将所述鳍体之间的间隔区域完全填充；

步骤三、对所述FCVD氧化层进行第一次退火使所述FCVD氧化层进行第一次固化；

步骤四、对所述FCVD氧化层进行回刻，回刻后所述FCVD氧化层的顶部表面低于所述鳍体的顶部表面，所述鳍体分成位于所述FCVD氧化层的顶部表面之上的顶部部分以及位于所述FCVD氧化层的顶部表面之下的底部部分，所述鳍体的底部部分被所述FCVD氧化层包围；

步骤五、沉积牺牲介质层将所述鳍体的顶部部分包围；

步骤六、对所述FCVD氧化层进行第二次退火使所述FCVD氧化层完全固化，所述第二次退火中所述FCVD氧化层的氧会对所述鳍体的材料产生消耗从而使所述鳍体的底部部分的宽度减小，利用所述鳍体的底部部分的宽度减小来提升鳍式场效应晶体管的防穿通能力；

步骤七、去除所述牺牲介质层。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：

步骤一包括如下分步骤：

步骤11、在所述半导体衬底表面形成硬质掩膜层；

步骤12、形成光刻胶图形，所述光刻胶图形将所述鳍体的形成区域覆盖以及将所述鳍体的形成区域外打开；

步骤13、刻蚀所述硬质掩膜层将所述光刻胶图形的图形结构转移到所述硬质掩膜层中；

步骤14、以所述硬质掩膜层为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀形成所述鳍体。

4.如权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：步骤二中，所述FCVD氧化层的顶部表面和所述硬质掩膜层的顶部表面相平；

步骤四中，在对所述FCVD氧化层进行回刻之前或之后，还包括去除所述硬质掩膜层的步骤。

5.如权利要求1或2所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：步骤五中，所述牺牲介质层至少覆盖所述鳍体的顶部部分的侧面。

6.如权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：步骤五中，所述牺牲介质层覆盖所述鳍体的顶部部分的顶部表面和侧面以及所述鳍体外的所述FCVD氧化层的顶部表面上。

7.如权利要求1或2所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：步骤五中，所述牺牲介质层的材料包括氧化硅或氮化硅。

8.如权利要求1或2所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：步骤六中，所述第二次退火后，所述鳍体的底部部分的两侧分别损耗2nm的宽度。

9.如权利要求1或2所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于：步骤七之后，还包括步骤：

采用沉积加图形化刻蚀工艺形成由伪栅介质层和多晶硅伪栅叠加而成的伪栅极结构。

10.如权利要求9所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，还包括步骤：

在所述伪栅极结构两层的所述鳍体的顶部部分中形成源区和漏区；

形成第零层层间膜并进行平坦化使第零层层间膜的顶部表面和所述伪栅极结构的顶部表面相平；

进行栅极置换工艺将所述伪栅极结构去除并在所述伪栅极结构去除区域中形成由栅介质层和金属栅叠加而成的栅极结构。