[发明专利]同时提升PMOS和NMOS的性能的方法

权利要求书

1.一种同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供半导体衬底；

步骤二、在所述半导体衬底表面外延生长第一外延薄层，在生长所述第一外延薄层的过程中间隙性提供氧气氛以在所述第一外延薄层中形成氧插层；

步骤三、在所述氧插层的所述第一外延薄层表面外延生长第二外延盖帽层；

步骤四、对形成有所述第一外延薄层和所述第二外延盖帽层的所述半导体衬底进行图形化刻蚀形成浅沟槽，所述浅沟槽定义出多个有源区；所述第一外延薄层和所述第二外延盖帽层形成所述有源区的表面区域并作为PMOS和NMOS的沟道区的形成区域，通过所述氧插层同时提升PMOS和NMOS的性能；

步骤五、在所述浅沟槽中填充场氧化层形成浅沟槽隔离。

2.如权利要求1所述的同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

3.如权利要求2所述的同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，其特征在于：所述第一外延薄层为第一硅外延薄层，所述第二外延盖帽层为第二硅外延盖帽层。

4.如权利要求1或3所述的同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，其特征在于：所述第一外延薄层的厚度为3nm～10nm。

5.如权利要求4所述的同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，其特征在于：所述第二外延盖帽层的厚度为5nm～10nm。

6.如权利要求1所述的同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，其特征在于：后续还包括：

在PMOS形成区域的有源区中形成PMOS以及在NMOS形成区域的有源区中形成NMOS。

7.如权利要求6所述的同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，其特征在于：形成所述PMOS的步骤包括：

在所述PMOS形成区域的有源区形成N型阱区；

在所述N型阱区的表面进行N型阈值电压离子注入，所述N型阈值电压离子注入深度范围的所述N型阱区作为所述PMOS的沟道区；

形成第一栅极结构，被所述栅极结构覆盖的所述沟道区表面用于形成导电沟道；

在所述第一栅极结构的两侧形成P+掺杂的源区和漏区。

8.如权利要求7所述的同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，其特征在于：形成所述NMOS的步骤包括：

在所述NMOS形成区域的有源区形成P型阱区；

在所述P型阱区的表面进行P型阈值电压离子注入，所述P型阈值电压离子注入深度范围的所述P型阱区作为所述NMOS的沟道区；

形成第二栅极结构，被所述栅极结构覆盖的所述沟道区表面用于形成导电沟道；

在所述第二栅极结构的两侧形成N+掺杂的源区和漏区。

9.如权利要求6所述的同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，其特征在于：所述PMOS和所述NMOS为组成SRAM的存储单元的器件。

10.如权利要求9所述的同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，其特征在于：所述SRAM的存储单元为包括6个器件的6T型SRAM。

11.如权利要求10所述的同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，其特征在于：所述6T型SRAM包括两个上拉管、两个下拉管和两个选择管，两个所述上拉管都采用PMOS，两个所述下拉管和两个所述选择管都采用NMOS。