[发明专利]刷新命令保护方法及电路、存储器刷新方法及电路、设备有效
申请号: | 202111098555.0 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN113823340B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 范习安;曹先雷 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刷新 命令 保护 方法 电路 存储器 设备 | ||
1.一种刷新命令保护方法,其特征在于,所述方法包括:
获取预设刷新配置信号、刷新窗口信号和刷新命令;
在所述预设刷新配置信号为正常刷新模式时,如果所述刷新命令为单阵列刷新命令,则根据所述单阵列刷新命令和所述刷新窗口信号,将所述正常刷新模式转换为细粒度刷新模式;
在所述细粒度刷新模式下,控制所述单阵列刷新命令执行。
2.根据权利要求1所述的刷新命令保护方法,其特征在于,根据所述单阵列刷新命令和所述刷新窗口信号,将所述正常刷新模式转换为细粒度刷新模式包括:
根据所述单阵列刷新命令和所述刷新窗口信号,产生单阵列刷新窗口信号;
根据所述单阵列刷新窗口信号和所述预设刷新配置信号,将所述正常刷新模式转换为所述细粒度刷新模式。
3.根据权利要求1或2所述的刷新命令保护方法,其特征在于,在所述细粒度刷新模式下,控制所述单阵列刷新命令执行包括:
根据刷新时钟信号和所述细粒度刷新模式,对阵列进行刷新,并对刷新阵列进行刷新计数;
其中,所述刷新时钟信号是由所述刷新窗口信号所触发的时钟信号。
4.一种刷新命令保护电路,其特征在于,所述电路包括:
信号获取模块,用于获取预设刷新配置信号、刷新窗口信号和刷新命令;
刷新模式转换模块,用于在所述预设刷新配置信号为正常刷新模式时,如果所述刷新命令为单阵列刷新命令,则根据所述单阵列刷新命令和所述刷新窗口信号,将所述正常刷新模式转换为细粒度刷新模式;
刷新控制模块,用于在所述细粒度刷新模式下,控制所述单阵列刷新命令执行。
5.根据权利要求4所述的刷新命令保护电路,其特征在于,所述刷新模式转换模块包括:单阵列刷新窗口产生子模块和刷新模式产生子模块;其中,
所述单阵列刷新窗口产生子模块,用于根据所述刷新窗口信号和所述单阵列刷新命令,产生单阵列刷新窗口信号;
所述刷新模式产生子模块,用于根据所述单阵列刷新窗口信号和所述预设刷新配置信号,将所述正常刷新模式转换为所述细粒度刷新模式。
6.根据权利要求5所述的刷新命令保护电路,其特征在于,所述单阵列刷新窗口产生子模块包括下降沿产生单元和锁存器;其中,
所述下降沿产生单元用于采集所述刷新窗口信号的下降沿;
所述锁存器的置位端接入所述单阵列刷新命令,所述锁存器的复位端接入所述刷新窗口信号的下降沿,所述锁存器的输出端输出所述单阵列刷新窗口信号。
7.根据权利要求6所述的刷新命令保护电路,其特征在于,所述下降沿产生单元包括:第一反相器、延时单元和与非门;其中,
所述第一反相器的输入端接入所述刷新窗口信号,所述第一反相器的输出端与所述与非门的输入端相连;
所述延时单元的输入端接入所述刷新窗口信号,所述延时单元的输出端与所述与非门的输入端相连;
所述与非门的输出端与所述锁存器的复位端相连。
8.根据权利要求5-7中任一项所述的刷新命令保护电路,其特征在于,所述刷新模式产生子模块包括:第二反相器和与门;其中,
所述第二反相器的输入端接入所述单阵列刷新窗口信号,所述第二反相器的输出端与所述与门的输入端相连;
所述与门的输入端还接入所述预设刷新配置信号,所述与门的输出端输出所述刷新模式。
9.根据权利要求6或7所述的刷新命令保护电路,其特征在于,所述单阵列刷新窗口产生子模块还包括:或门;其中,
所述或门的输入端接入刷新模式配置使能信号和所述单阵列刷新命令,所述或门的输出端与所述锁存器的置位端相连;所述单阵列刷新命令通过所述或门接入所述锁存器的置位端。
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