[发明专利]刷新命令保护方法及电路、存储器刷新方法及电路、设备

说明书

本公开是关于一种刷新命令保护方法、刷新命令保护电路、存储器刷新方法、存储器刷新电路及电子设备，涉及集成电路技术领域。该刷新命令保护方法包括：获取预设刷新配置信号、刷新窗口信号和刷新命令；在预设刷新配置信号为正常刷新模式时，如果刷新命令为单阵列刷新命令，则根据单阵列刷新命令和刷新窗口信号，将正常刷新模式转换为细粒度刷新模式；在细粒度刷新模式下，控制单阵列刷新命令执行。本公开可以确保单阵列刷新命令顺利执行，减少存储单元出现漏电风险的概率。

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域，具体而言，涉及一种刷新命令保护方法、刷新命令保护电路、存储器刷新方法、存储器刷新电路及电子设备。

背景技术

第五代双倍速率同步动态随机存取存储器(Double Data Rate fifth-generation Synchronous Dynamic Random-Access Memory，DDR5 SDRAM)是一种高带宽电脑存储器。

DDR5中通常包含两种刷新模式和两种类型的刷新命令。其中，两种刷新模式包括：正常刷新模式和细粒度刷新模式；两种类型的刷新命令包括：全阵列刷新命令和单阵列刷新命令。全阵列刷新命令通常可以在两种刷新模式下执行，而单阵列刷新命令则只能在细粒度刷新模式下执行。如果在正常刷新模式下下发单阵列刷新命令，由于无法执行该单阵列刷新命令，当前的单阵列刷新命令会被屏蔽。

然而，如果在正常刷新模式下，出现了持续下发单阵列刷新命令的情况，假如继续按照上述方式持续对单阵列刷新命令进行屏蔽，则会导致存储单元无法执行刷新操作而出现漏电风险。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种刷新命令保护方法、刷新命令保护电路、存储器刷新方法、存储器刷新电路及电子设备，以确保单阵列刷新命令顺利执行，减少存储单元出现漏电风险的概率。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种刷新命令保护方法，所述方法包括：

获取预设刷新配置信号、刷新窗口信号和刷新命令；

在所述预设刷新配置信号为所述正常刷新模式时，如果所述刷新命令为单阵列刷新命令，则根据所述单阵列刷新命令和所述刷新窗口信号，将所述正常刷新模式转换为细粒度刷新模式；

在所述细粒度刷新模式下，控制所述单阵列刷新命令执行。

在本公开的一些实施例中，根据所述单阵列刷新命令和所述刷新窗口信号，将所述正常刷新模式转换为细粒度刷新模式包括：

根据所述单阵列刷新命令和所述刷新窗口信号，产生单阵列刷新窗口信号；

根据所述单阵列刷新窗口信号和所述预设刷新配置信号，将所述正常刷新模式转换为所述细粒度刷新模式。

在本公开的一些实施例中，在所述细粒度刷新模式下，控制所述单阵列刷新命令执行包括：

根据刷新时钟信号和所述细粒度刷新模式，对阵列进行刷新，并对刷新阵列进行刷新计数；

其中，所述刷新时钟信号是由所述刷新窗口信号所触发的时钟信号。

根据本公开的第二方面，提供一种刷新命令保护电路，所述电路包括：

信号获取模块，用于获取预设刷新配置信号、刷新窗口信号和刷新命令；