[发明专利]一种用于扇出型封装的被动元件及其制备方法、扇出型封装方法

权利要求书

1.一种用于扇出型封装的被动元件，其特征在于，包括被动元件本体，被动元件本体上设有能够在扇出型封装工艺中与重布线层直接接触的铜制焊接点，所述铜制焊接点外无其他金属层。

2.根据权利要求1所述的用于扇出型封装的被动元件，其特征在于，还包括铜制焊接点外自然生成的氧化铜。

3.一种集成电路扇出型封装结构，包含如权利要求1所述的用于扇出型封装的被动元件，其特征在于，还包括芯片、塑封层、重布线层及焊球，重布线层设在芯片及被动元件正面，所述重布线层与芯片连接，所述重布线层与被动元件的铜制焊接点直接接触，芯片与被动元件的背面、芯片与被动元件之间均填充有塑封层，所述焊球设置在重布线层的开口位置处。

4.一种集成电路扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将芯片、权利要求1或2所述的用于扇出型封装的被动元件贴装在载板表面，载板与芯片、被动元件之间设置有键合层；

步骤二：在载板表面贴装有芯片、被动元件的一侧形成塑封层，所述塑封层至少覆盖芯片及被动元件表面；

步骤三：去除载板及键合层；采用等离子刻蚀去除被动元件表面裸露于外部的氧化铜；

步骤四：在芯片及被动元件的正面制备重布线层，重布线层与被动元件表面裸露于外部的氧化铜直接接触；

步骤五：在重布线层上方制作焊球。

5.根据权利要求4所述的集成电路扇出型封装方法，其特征在于，步骤一中，所述用于扇出型封装的被动元件由普通被动元件预处理制成，预处理包括：

将普通被动元件置于退锡溶液中浸泡，浸泡完成后用去离子水清洗，至焊接点外的镍层剥离。

6.根据权利要求5所述的集成电路扇出型封装方法，其特征在于，所述退锡溶液包含20%~40%的硝酸、60%~80%的水。

7.根据权利要求5或6所述的集成电路扇出型封装方法，其特征在于，所述去离子水为浓度20%的NaOH。

8.根据权利要求5或6所述的集成电路扇出型封装方法，其特征在于，将普通被动元件置于退锡溶液中浸泡2~10分钟，再用去离子水中清洗5~10分钟。

9.根据权利要求4至7任一所述的集成电路扇出型封装方法，其特征在于，步骤四制备重布线层包括光刻、固化、溅射、电镀、去胶及腐蚀工艺。

10.一种权利要求1或2所述的用于扇出型封装的被动元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将普通被动元件置于退锡溶液中浸泡，浸泡完成后用去离子水清洗，至焊接点外的镍层剥离。