[发明专利]一种用于扇出型封装的被动元件及其制备方法、扇出型封装方法

说明书

本发明公开了一种用于扇出型封装的被动元件及其制备方法、扇出型封装方法，包括被动元件本体，被动元件本体上设有能够在扇出型封装工艺中与重布线层直接接触的铜制焊接点，所述铜制焊接点外无其他金属层。本发明解决了被动元件与扇出型封装工艺中高温工艺不兼容的问题，增强了封装结构的可靠性，为扇出型封装结构充分发挥在尺寸、成本、性能方面的优势提供保障。

技术领域

本发明属于集成电路封装技术领域，尤其涉及一种用于扇出型封装的被动元件及其制备方法、扇出型封装方法。

背景技术

随着集成电路封装集成化的不断发展，越来越多的被动元件，包括电阻、电容、电感、天线，被要求封装到单个的封装体单元内。在传统的引线框架和有机基板类型的封装结构中，被动元件可以直接贴装到引线框架和有机基板上，再使用塑封材料将其包封到封装体单元内。

图1为被动元件的结构示意图，参考图1，常规被动元件包括被动元件本体10、被动元件本体10上设有焊接点20，焊接点20以铜作为底材料，采用电镀方式在铜表面沉积一层镍层30，再沉积一层锡层40（或锡银，或锡铅）。在扇出型封装工艺中，在将集成电路芯片和被动元件包封到封装体内部后，需要进行多个高温工艺过程，如溅射、烘烤固化、回流焊接，这些高温工艺过程会熔化被动元件焊点上的焊锡，导致封装结构被破坏、无法进行后续封装工艺，熔化的焊锡也会加快焊接材料之间的互扩散，影响封装结构的可靠性。

所以，如果需在扇出型封装结构中集成被动元件，则需要先完成高温工艺，再将所需的被动元件封装到封装体上，或者是降低封装工艺中的工艺温度。但是，这样限制了封装的工艺设计和结构设计，减弱了扇出型封装结构在尺寸、成本、性能方面的优势。

发明内容

发明目的：为了解决现有技术中，扇出型封装工艺中被动元件结构受高温工艺影响的问题，本发明提供一种用于扇出型封装的被动元件及其制备方法、扇出型封装方法。

技术方案：一种用于扇出型封装的被动元件，包括被动元件本体，被动元件本体上设有能够在扇出型封装工艺中与重布线层直接接触的铜制焊接点，所述铜制焊接点外无其他金属层。

进一步地，还包括铜制焊接点外自然生成的氧化铜。

一种集成电路扇出型封装结构，还包括芯片、塑封层、重布线层及焊球，重布线层设在芯片及被动元件正面，所述重布线层与芯片连接，所述重布线层与被动元件的铜制焊接点直接接触，芯片与被动元件的背面、芯片与被动元件之间均填充有塑封层，所述焊球设置在重布线层的开口位置处。

一种集成电路扇出型封装方法，包括以下步骤：

步骤一：将芯片、上述的用于扇出型封装的被动元件贴装在载板表面，载板与芯片、被动元件之间设置有键合层；

步骤二：在载板表面贴装有芯片、被动元件的一侧形成塑封层，所述塑封层至少覆盖芯片及被动元件表面；

步骤三：去除载板及键合层；采用等离子刻蚀去除被动元件表面裸露于外部的氧化铜；

步骤四：在芯片及被动元件的正面制备重布线层，重布线层与被动元件表面裸露于外部的氧化铜直接接触；

步骤五：在重布线层上方制作焊球。

进一步地，步骤一中，所述用于扇出型封装的被动元件由普通被动元件预处理制成，预处理包括：

将普通被动元件置于退锡溶液中浸泡，浸泡完成后用去离子水清洗，至焊接点外的镍层剥离。

进一步地，所述退锡溶液包含20%~40%的硝酸、60%~80%的水。

进一步地，所述去离子水为浓度20%的NaOH。

进一步地，将普通被动元件置于退锡溶液中浸泡2~10分钟，再用去离子水中清洗5~10分钟。

进一步地，步骤四制备重布线层包括光刻、固化、溅射、电镀、去胶及腐蚀工艺。