[发明专利]一种晶圆加热装置及其控制方法

说明书

本发明提供了一种晶圆加热装置，所述装置的第一盘体和第二盘体形成用于放置晶圆的密闭区域，加热器用于对所述晶圆进行加热，所述第一盘体包括第一子区域和第二子区域，两个子区域分别设有第一气道和第二气道，且第一气道连通所述密闭区域和第一吸气机构、第二气道连通所述密闭区域和第二吸气机构，可以实现所述密闭区域的气体流动。装置还包括设于第一子区域的第一温度检测器和设于第二子区域第二温度检测器，用于采集各子区域中的温度采样值。装置还包括控制器，达到自动控制吸气结构的启闭，从而保证晶圆表面平整的目的。本发明的晶圆加热装置可以使晶圆在进行烘烤工艺时不发生翘曲，也能保证晶圆表面烘烤温度的均匀性，提高晶圆成品率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆加热装置及其控制方法。

背景技术

在以半导体晶圆为载体的复杂光刻工序中，光刻胶的涂布工序、显影工序、烘烤工序、曝光工序等是非常重要的工艺，晶圆在这些复杂工序流转的过程中，曝光工序是及其关键的步骤。然而晶圆在经过这些复杂工艺处理后，或多或少都会发生一定程度的翘曲，进而导致曝光过程难以聚焦，显影过程出现过显或显影不良情况，进而影响晶圆的成品率。

公告号为CN204927260U的中国专利申请公开了一种通过压紧机构来解决晶圆翘曲带来的产品不良率高的问题，其包括压板、加热盘、顶针和托盘，通过压板紧紧压住晶圆来保证晶圆的平整度，使用物理压紧的方式会存在损伤晶圆的问题。

因此需要设计一种具有防止晶圆翘曲功能的晶圆加热装置，以改善由于晶圆翘曲而使晶圆表面的烘烤温度不均匀的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆加热装置及其控制方法，用以改善由于晶圆翘曲而使晶圆表面的烘烤温度不均匀的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种晶圆加热装置，包括第一盘体、第二盘体、加热器、控制器、第一吸气机构、第二吸气机构、第一温度检测器和第二温度检测器；

所述第二盘体设置于所述第一盘体，所述第一盘体和所述第二盘体至少一个设有凹槽，所述凹槽设置于所述第一盘体和所述第二盘体相邻的侧面，当所述第一盘体和所述第二盘体相互贴合时，所述第一盘体和所述第二盘体使所述凹槽形成密闭区域，所述密闭区域用于放置晶圆；

所述加热器设置于所述第一盘体，所述加热器用于对所述晶圆进行加热；

所述第一盘体包括第一子区域和第二子区域，所述第一子区域对应设有第一气道，所述第二子区域对应设有第二气道；

所述第一气道的一端与所述密闭区域连通，所述第一气道的另一端与所述第一吸气机构连通，所述第二气道的一端与所述密闭区域连通，所述第二气道的另一端与所述第二吸气机构连通，所述第一吸气机构和所述第二吸气机构用于带动所述密闭区域的气体流动；

所述第一温度检测器和所述第二温度检测器均与所述控制器连接，所述第一温度检测器对应设置于所述第一子区域，所述第二温度检测器对应设置于所述第二子区域，所述第一温度检测器用于采集所述第一子区域的第一温度采样值，所述第二温度检测器用于检测所述第二子区域的第二温度采样值；

所述控制器分别与所述第一吸气机构和所述第二吸气机构连接，所述控制器用于分别从所述第一温度检测器获取第一温度采样值、以及从所述第二温度检测器获取第二温度采样值，以及分别控制所述第一吸气机构和所述第二吸气机构的启闭。