[发明专利]显示装置及其制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

第一半导体层；

在所述第一半导体层下面的有源层；

在所述有源层下面的第二半导体层；以及

包括多个离子的离子注入区域，所述离子注入区域将所述有源层分隔为多个发光区域，

其中所述多个发光区域的平均离子浓度比为2至15，

其中在一位置的离子浓度比是在所述位置的离子浓度与所述离子注入区域的最大离子浓度的比值与100的乘积。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述多个发光区域的所述平均离子浓度比为4至10。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述多个发光区域中的每个的离子浓度比为20或更小。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中所述多个发光区域中的每个包括具有1μm或更大的长度的连续区段，在该连续区段中离子浓度比为5或更小。

5.如权利要求1所述的显示装置，其中所述多个离子中的每个具有比氮离子的质量大的质量。

6.如权利要求1所述的显示装置，其中所述多个离子包括Ar离子。

7.一种显示装置，包括：

第一半导体层；

在所述第一半导体层下面的有源层；

在所述有源层下面的第二半导体层；以及

将所述有源层分隔为多个发光区域的离子注入区域，

其中注入到所述离子注入区域中的离子的浓度峰位于所述第二半导体层的上表面下面的水平处。

8.如权利要求7所述的显示装置，其中所述离子注入区域具有从所述第二半导体层的下表面在朝向所述有源层的方向上逐渐增大然后减小的离子分布。

9.如权利要求7所述的显示装置，其中多个离子被注入到所述离子注入区域中，以及

其中所述多个离子中的每个离子具有比氮离子的质量大的质量。

10.如权利要求7所述的显示装置，其中多个离子被注入到所述离子注入区域中，以及

其中所述多个离子包括Ar离子。

11.如权利要求7所述的显示装置，其中所述第一半导体层包括n型半导体层，以及

其中所述第二半导体层包括p型半导体层。

12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

在第一半导体层上形成有源层；

在所述有源层上形成第二半导体层；

在所述第二半导体层上形成用于离子注入的掩模；以及

将离子注入到所述掩模的敞开区域，

其中所述离子的注入在75℃至130℃的工艺温度执行。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述工艺温度为90℃至110℃。

14.如权利要求12所述的方法，其中，在所述离子的注入中，所述离子以小于8keV的注入能量注入。

15.如权利要求12所述的方法，其中所述离子中的每个离子具有比氮离子的质量大的质量。

16.如权利要求12所述的方法，其中所述离子包括Ar离子。

17.如权利要求12所述的方法，其中所述掩模包括Ti掩模。

18.如权利要求12所述的方法，其中所述掩模的厚度为100nm至300nm。

19.如权利要求12所述的方法，其中所述掩模的厚度为200nm至250nm。