[发明专利]显示装置及其制造方法以及电子设备

说明书

本公开提供了显示装置及其制造方法以及电子设备。一种显示装置包括：离子注入区域、第一半导体层、在第一半导体层下面的有源层、以及在有源层下面的第二半导体层。离子注入区域包括多个离子并将有源层分隔成多个发光区域，每个发光区域的平均离子浓度比为2至15。

技术领域

本公开涉及使用发光二极管的显示装置，更具体地，涉及具有改善的分辨率和刷新率的显示装置及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器等被广泛用作显示装置。最近，需要具有改善的分辨率和刷新率的装置以适用于虚拟现实显示和增强现实显示。

发明内容

提供了具有高分辨率和刷新率的显示装置的结构及其制造方法。

另外的方面将在随后的描述中被部分地阐述，并且部分地将从该描述变得明显，或者可以通过本公开的实施方式的实践而掌握。

根据本公开的一方面，一种显示装置包括：第一半导体层；在第一半导体层下面的有源层；在有源层下面的第二半导体层；以及包括多个离子的离子注入区域，离子注入区域将有源层分隔为多个发光区域，其中所述多个发光区域的平均离子浓度比为2至15，其中在一位置的离子浓度比是在该位置的离子浓度与离子注入区域的最大离子浓度的比值与100的乘积。

所述多个发光区域的平均离子浓度比可以是4至10。

所述多个发光区域中的每个的离子浓度比可以是20或更小。

所述多个发光区域中的每个可以包括具有1μm或更大的长度的连续区段，在该连续区段中离子浓度比为5或更小。

所述多个离子中的每个可以具有比氮离子的质量大的质量。

所述多个离子可以包括Ar离子。

根据本公开的一方面，一种显示装置包括：第一半导体层；在第一半导体层下面的有源层；在有源层下面的第二半导体层；以及将有源层分隔为多个发光区域的离子注入区域，其中注入到离子注入区域中的离子的浓度峰位于在第二半导体层的上表面下面的水平处。

离子注入区域可以具有从第二半导体层的下表面在朝向有源层的方向上逐渐增大然后减小的离子分布。

可以在离子注入区域中注入多个离子，并且所述多个离子中的每个离子可以具有比氮离子的质量大的质量。

可以在离子注入区域中注入多个离子，并且所述多个离子可以包括Ar离子。

第一半导体层可以包括n型半导体层，第二半导体层可以包括p型半导体层。

根据本公开的一方面，一种制造显示装置的方法包括：在第一半导体层上形成有源层；在有源层上形成第二半导体层；在第二半导体层上形成用于离子注入的掩模；以及将离子注入到掩模的敞开区域中，其中离子的注入在75℃至130℃的工艺温度执行。

工艺温度可以是90℃至110℃。

在离子的注入中，可以以小于8keV的注入能量注入离子。

所述离子中的每个离子可以具有比氮离子的质量大的质量。

所述离子可以包括Ar离子。

掩模可以包括Ti掩模。

掩模的厚度可以是100nm至300nm。

掩模的厚度可以是200nm至250nm。