[发明专利]驱动背板的制作方法、驱动背板及显示装置在审
申请号: | 202111107371.6 | 申请日: | 2021-09-22 |
公开(公告)号: | CN113851489A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 董水浪;薛大鹏;卢鑫泓;李柳青;周靖上;赵磊;王久石;袁广才;陈婉芝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 王刚 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 背板 制作方法 显示装置 | ||
本申请提供一种驱动背板的制作方法、驱动背板及显示装置。所述方法包括:提供一衬底基板,并在衬底基板上形成电路结构层;通过溅射工艺在电路结构层上形成厚度均一的种子层;种子层包括依次层叠设置的缓冲层和金属层;通过图案化工艺在种子层上形成与待形成的金属走线相对应的第一图案结构;通过电镀工艺形成金属走线并去除第一图案结构;通过图案化工艺在种子层上形成与待形成的焊盘相对应的第二图案结构;通过刻蚀工艺将种子层未被第二图案结构和金属走线覆盖的部分去除,并去除第二图案结构,以使剩余的种子层形成焊盘。本申请的方案能够避免Micro LED芯片的电极与焊盘绑定时的虚焊、接触不良的现象,提升了产品的良率,保证正常显示。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种驱动背板的制作方法、驱动背板及显示装置。
背景技术
微型发光二极管(micro light-emitting diode,Micro LED)是一种尺寸为微米级的发光二极管,由于Micro LED的尺寸较小,因此其可以作为显示面板上的像素。Micro-LED显示面板,具有自发光显示特性,其具有全固态、长寿命、高亮度、低功耗、体积较小、超高分辨率、可应用于高温或辐射等极端环境的优势,具有良好的应用前景。
在Micro-LED显示面板制作过程中,在晶圆衬底上外延生长制备得到的Micro LED芯片会通过转移基板转移到驱动背板上形成LED阵列,转移过程中,需要将Micro LED芯片的电极与驱动背板上的焊盘进行绑定(bonding)。然而,使用相关技术制作的驱动背板在进行绑定时,Micro LED芯片的电极与焊盘经常会出现虚焊、接触不良的现象,这严重降低了产品的良率,并影响正常显示。
发明内容
有鉴于此,本申请的目的在于提出一种驱动背板的制作方法、驱动背板及显示装置。
基于上述目的,本申请提供了驱动背板的制作方法,包括:
提供一衬底基板,并在所述衬底基板上形成电路结构层;
通过溅射工艺在所述电路结构层上形成厚度均一的种子层;所述种子层包括依次层叠设置的缓冲层和金属层;
通过图案化工艺在所述种子层上形成与待形成的金属走线相对应的第一图案结构;
通过电镀工艺形成金属走线并去除所述第一图案结构;
通过图案化工艺在所述种子层上形成与待形成的焊盘相对应的第二图案结构;
通过刻蚀工艺将所述种子层未被所述第二图案结构和所述金属走线覆盖的部分去除,并去除所述第二图案结构,以使剩余的所述种子层形成焊盘。
在一些实施方式中,所述通过溅射工艺在所述电路结构层上形成厚度均一的种子层,具体包括:
通过溅射工艺在所述电路结构层上依次形成层叠设置的缓冲层、金属层和保护层,以使层叠设置的所述缓冲层、所述金属层和所述保护层构成所述种子层。
在一些实施方式中,所述缓冲层的材质为钛钼合金或钛钕合金;所述金属层的材质为铜;所述保护层的材质为铜镍合金、铜铝合金或铜钛合金。
在一些实施方式中,所述缓冲层的厚度为所述金属层的厚度的1/80至1/2;所述保护层的厚度为所述金属层的厚度的1/80至1/2。
在一些实施方式中,所述金属走线的厚度为所述金属层的厚度的6至100倍。
在一些实施方式中,所述第一图案结构包括挡墙,所述挡墙上通过图案化工艺形成有若干条形的镂空结构;一个所述镂空结构对应于一条待形成的金属走线。
在一些实施方式中,任意相邻的两个所述镂空结构的间距均相同。
在一些实施方式中,形成焊盘之后,还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的