[发明专利]一种含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的制备及缺陷测试方法在审
申请号: | 202111109074.5 | 申请日: | 2021-09-22 |
公开(公告)号: | CN113654866A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 王肖义;李瑞佼;段亚伟 | 申请(专利权)人: | 河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭光电科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28;G01N1/32;G01N23/225;G01N23/227 |
代理公司: | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人: | 耿超 |
地址: | 050035 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含有 微米 级一维铂铑 缺陷 玻璃 样品 制备 测试 方法 | ||
1.一种含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的制备方法,其特征在于,该制备方法包括如下步骤:
S1、含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的切割:观察玻璃产品中所述微米级一维铂铑缺陷的形貌、尺寸,确定所述微米级一维铂铑缺陷的位置,以切割线与所述微米级一维铂铑缺陷呈α的角度进行切割,得到含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品;
S2、含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品切割面的研磨抛光:将所述含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的切割面进行先研磨后抛光至镜面级;
S3、含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品切割面的腐蚀:采用腐蚀剂对所述镜面级切割面进行腐蚀。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其中,在步骤S1中,所述α的范围为0-30°,优选为0-15°。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其中,在步骤S2中,所述研磨采用砂纸进行研磨,所述抛光使用稀释的氧化铈在抛光布上进行抛光。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其中,在步骤S2中,所述研磨抛光还包括在研磨抛光后观察所述切割面的形貌,所述研磨抛光后的含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品切割面呈断点状或拖尾状。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其中,在步骤S3中,所述腐蚀剂包括稀释的HF或NaOH。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其中,当采用所述稀释的HF腐蚀时,所述HF的浓度为10-30%,腐蚀温度为20-50℃。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其中,当采用所述稀释的NaOH腐蚀时,所述NaOH的浓度为5-15%,腐蚀温度为40-50℃。
8.一种含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的缺陷测试方法,其特在于,所述测试方法包括利用喷涂仪对所述含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的切割面进行喷碳处理。
9.根据权利要求8所述的测试方法,其中,所述喷碳处理的喷碳厚度为10-30nm。
10.根据权利要求8所述的测试方法,其中,所述测试方法还包括将所述含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品置于电子探针或能谱仪样品室中,观察显微形貌并进行成分测试。
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