[发明专利]一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法

权利要求书

1.一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法，其特征在于包括以下步骤：

1）.将助焊膏（2）通过四角四点法涂抹在镀镍管壳（1）底部对应的焊料片待粘位置，把焊料片（3）粘在镀镍管壳（1）底部待粘位置后，再在焊料片（3）上点滴助焊剂（4），然后将所需芯片（5）粘接在焊料片（3）上；

2）. 把粘好芯片的镀镍管壳，送入烘箱在80℃条件下烘烤5分钟；

3）.在烘烤过的所有芯片上压上配重块（6），放入回流炉内进行烧结，烧结过程为第一段230℃条件下预热4分钟，第二段250℃条件下预热4分钟； 310℃恒温条件下共晶6分钟，最后进入冷却区。

2.根据权利要求1所述的一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法，其特征在于：所述配重块压强要求5N/mm²。

3.根据权利要求1所述的一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法，其特征在于：镀镍管壳在使用前进行预处理，采用超声清洗和等离子清洗，超声清洗的时间为11-15分钟，超声清洗的功率为300-500W；采用等离子清洗时间为7-9分钟，等离子清洗的射频功率为25-50W。

4.根据权利要求1所述的一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法，其特征在于：助焊膏选用国产华茂翔HXF100A。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法，其特征在于：芯片（5）及焊料片（3）为正方形，焊料片的边长大于芯片0.4mm。