[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其在第1主面和与所述第1主面相反侧的第2主面之间具有n型的漂移层的半导体基板，相邻地设置绝缘栅型双极晶体管区域和二极管区域，在所述半导体基板的所述第1主面之上设置有发射极电极，

该半导体装置的特征在于，

在所述绝缘栅型双极晶体管区域中设置：

p型的基极层，其与所述漂移层相比设置于所述第1主面侧；

n型的源极层，其选择性地设置于所述基极层的所述第1主面侧且选择性地设置于所述半导体基板的所述第1主面侧的表层；

p型的第1接触层，其设置于所述基极层的所述第1主面侧且设置于所述半导体基板的所述第1主面侧的表层中的没有设置所述源极层的区域，该p型的第1接触层与所述发射极电极连接；

栅极沟槽绝缘膜，其设置于将所述基极层贯穿而到达所述漂移层的沟槽的内表面；

栅极沟槽电极，其经由所述栅极沟槽绝缘膜而设置于所述沟槽内；以及

p型的集电极层，其设置于所述半导体基板的所述第2主面侧的表层，

在所述二极管区域中设置：

p型的阳极层，其与所述漂移层相比设置于所述第1主面侧；

p型的第2接触层，其设置于所述阳极层的所述第1主面侧且设置于所述半导体基板的所述第1主面侧的表层，该p型的第2接触层与所述发射极电极连接；以及

n型的阴极层，其设置于所述半导体基板的所述第2主面侧的表层，

所述第2接触层含有铝而作为p型杂质。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2接触层的厚度比所述源极层的厚度小。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2接触层的厚度小于或等于所述源极层的厚度的1/2。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2接触层的杂质浓度小于1.0E+18/cm³。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1接触层含有铝而作为p型杂质。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1接触层的厚度比所述源极层的厚度小。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1接触层的厚度小于或等于所述源极层的厚度的1/2。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1接触层的杂质浓度小于1.0E+18/cm³。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有多个所述第1接触层，

多个所述第1接触层中的至少一部分的所述第1接触层为杂质浓度比所述第2接触层的杂质浓度高的第3接触层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述第1接触层中的一部分所述第1接触层为杂质浓度比所述第3接触层的杂质浓度低的第4接触层，

所述第4接触层与所述第3接触层相比位于所述二极管区域侧。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其特征在于，

所述第3接触层的厚度比所述源极层的厚度大。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述阳极层含有铝而作为p型杂质，

所述阳极层的杂质浓度比所述第2接触层的杂质浓度低。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述二极管区域不具有所述沟槽。