[发明专利]半导体装置

说明书

得到降低了RC‑IGBT的二极管区域的恢复损耗的半导体装置。本发明涉及的半导体装置为IGBT区域(10)和二极管区域(20)相邻地设置的RC‑IGBT。在二极管区域(20)中设置：p型阳极层(25)，其与n^‑型漂移层(1)相比设置于第1主面侧；p型接触层(24)，其设置于p型阳极层(25)的主面侧且设置于半导体基板的第1主面侧的表层，该p型接触层(24)与发射极电极(6)连接；以及n⁺型阴极层(26)，其设置于半导体基板的第2主面侧的表层。p型接触层(24)含有铝而作为p型杂质，p型接触层(24)的厚度比在IGBT区域(10)设置的n⁺型源极层(13)的厚度小。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，提出了将绝缘栅型双极晶体管(IGBT：Insulated Gate BipolarTransistor)和续流用的二极管形成于一个半导体基板的半导体装置即RC-IGBT(ReverseConducting IGBT：反向导通IGBT)。在这样的半导体装置中，为了在二极管区域的阳极部降低表面电极与阳极部的接触电阻，在阳极部的表层设置杂质浓度高的p⁺型接触层 (例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2010-192597号公报

但是，存在如下问题，即，在将p⁺型接触层设置于二极管区域的阳极部的情况下，在二极管动作时来自阳极部的空穴的注入量变多，恢复损耗增大。

发明内容

本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，得到降低了RC-IGBT的二极管区域的恢复损耗的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置在第1主面和与第1主面相对的第2 主面之间具有n型的漂移层的半导体基板，相邻地设置绝缘栅型双极晶体管区域和二极管区域，在半导体基板的第1主面之上设置有发射极电极，该半导体装置的特征在于，在绝缘栅型双极晶体管区域中设置：p型的基极层，其与漂移层相比设置于第1主面侧；n型的源极层，其选择性地设置于基极层的第1主面侧且选择性地设置于半导体基板的第1主面侧的表层；p型的第1接触层，其设置于基极层的第 1主面侧且设置于半导体基板的第1主面侧的表层中的没有设置源极层的区域，该p型的第1接触层与发射极电极连接；栅极沟槽绝缘膜，其设置于将基极层贯穿而到达漂移层的沟槽的内表面；栅极沟槽电极，其经由栅极沟槽绝缘膜而设置于沟槽内；以及p型的集电极层，其设置于半导体基板的第2主面侧的表层，在二极管区域中设置：p 型的阳极层，其与漂移层相比设置于第1主面侧；p型的第2接触层，其设置于阳极层的第1主面侧且设置于半导体基板的第1主面侧的表层，该p型的第2接触层与发射极电极连接；以及n型的阴极层，其设置于半导体基板的第2主面侧的表层，第2接触层含有铝而作为p 型杂质。

发明的效果

本发明涉及的半导体装置具有能够得到如下半导体装置的效果，即，该半导体装置由于在RC-IGBT的二极管区域设置的第2接触层含有铝而作为p型杂质，因此降低了二极管区域的恢复损耗。

附图说明

图1是表示实施方式1的半导体装置的俯视图。

图2是表示实施方式1的半导体装置的其它结构的俯视图。

图3是表示实施方式1的半导体装置的IGBT区域的结构的局部放大俯视图。

图4是表示实施方式1的半导体装置的IGBT区域的结构的A-A 剖视图。

图5是表示实施方式1的半导体装置的IGBT区域的结构的B-B 剖视图。

图6是表示实施方式1的半导体装置的二极管区域的结构的局部放大俯视图。

图7是表示实施方式1的半导体装置的二极管区域的结构的C-C 剖视图。