[发明专利]半导体器件的制备方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底上形成由多个绝绝绝和多个牺牲绝层成的堆叠结构，以及沿垂直于所述衬底的纵向穿过所述堆叠结构且沿平行于所述衬底的第一方向延伸的栅栅栅隙，所述栅线栅隙在平行于所述衬底且垂直于所述第一方向的第二方向上被所述多个绝绝绝和所述多个牺牲绝所围而具有第一宽度，所述第一宽度沿所述纵向由下至上以第一变化率逐渐变大；

去除所述多个牺牲绝以得到多个栅极开口；

以第一台阶覆盖率在所述多个栅极开口中形成第一栅极绝；

以第二台阶覆盖率在所述第一栅极绝上形成第二栅极绝；

其中，所述第一台阶覆盖率大于所述第二台阶覆盖率。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述以第二台阶覆盖率在所述第一栅极绝上形成第二栅极绝的步骤之后，所述栅线栅隙在所述第二方向上被所述第二栅极绝所围而具有第二宽度，所述第二宽度沿所述纵向由下至上具有第二变化率，其中，所述第二变化率小于所述第一变化率。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第二变化率为零。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述以第二台阶覆盖率在所述第一栅极绝上形成第二栅极绝的步骤之后，还包括：

向所述栅线栅隙中通入酸性液体，以去除所述第二栅极绝以及部分所述第一栅极绝，形成多个栅极结构，所述多个栅极结构之间互不接触。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述以第一台阶覆盖率在所述多个栅极沟槽中形成第一栅极绝的步骤之后，及/或所述以第二台阶覆盖率在所述第一栅极绝上形成第二栅极绝的步骤之后，还包括：

对所述半导体器件续行加热。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，使用原子绝沉积法形成所述第一栅极绝，且以不同于原子绝沉积法的薄膜沉积工艺形成所述第二栅极绝。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，使用相同的薄膜沉积工艺形成所述第一栅极绝以及所述第二栅极绝。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一栅极绝覆盖所述多个绝绝绝。

9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底；

堆叠结构，设置于所述衬底上，所述堆叠结构包括多个绝绝绝以及多个栅极结构；以及，

栅线栅隙，所述栅线栅隙沿垂直于所述衬底的纵向穿过所述堆叠结构且沿平行于所述衬底的第一方向延伸；

其中，所述多个栅极结构在平行于所述衬底且垂直于所述第一方向的第二方向上的长度相等。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括多个栅极开口，所述多个栅极结构设置于所述多个栅极开口中，所述栅线栅隙包括隔离侧壁，所述隔离侧壁延伸至所述多个栅极开口中而与所述多个栅极结构相接触。