[发明专利]掩膜版及其制造方法、半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：

主图形，包括至少一个第一拐角；以及，

辅助图形，包括与所述主图形的形状对应的第一图形，所述第一图形具有至少一个第二拐角，所述第二拐角位于所述第一拐角的内侧且开口方向与所述第一拐角相同，所述第一拐角和所述第二拐角均为尖角。

2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一拐角和所述第二拐角均为直角。

3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一拐角与所述第二拐角的角平分线重叠。

4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一拐角的两条边靠近相交顶点的一端均形成有凹槽。

5.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第二拐角的两条边经相交顶点向所述第一拐角方向延伸，以使得两条边的延伸部分分别对应一个所述凹槽。

6.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形还包括第二图形，所述第二图形位于所述第一图形的远离所述主图形的一侧。

7.如权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述第二拐角的两条边的中间区域均形成有凸起。

8.如权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述凸起位于所述第二拐角的两条边的一侧或两侧。

9.如权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述第二图形为十字形，十字形的两条相交线条分别对准所述凸起。

10.如权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述第二图形为封闭环形，且封闭环形的内圈为十字形或方形。

11.如权利要求10所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形还包括第三图形，所述第二图形环绕所述第三图形。

12.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述主图形为包括多个所述第一拐角的封闭环形，所述第一图形为包括多个所述第二拐角的封闭环形，所述第一图形包围所述第二图形。

13.一种掩膜版的制造方法，其特征在于，包括：

设计如权利要求1至12中任一项所述的掩膜版；

利用所述掩膜版模拟工艺窗口，以优化所述掩膜版上的主图形和/或辅助图形至满足要求；

利用优化至满足要求的所述主图形和所述辅助图形制备测试掩膜版；

将所述测试掩膜版在芯片端进行工艺验证，以获得符合生产要求的掩膜版。

14.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆，所述晶圆的表面覆盖有光刻胶层；

采用权利要求1至12中任一项所述的掩膜版对所述光刻胶层进行光刻，以将所述掩膜版上的主图形完整地转移到所述光刻胶层上，形成图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述晶圆进行刻蚀，以将所述掩膜版上的主图形完整地转移到所述晶圆上；以及，

去除所述图案化的光刻胶层。