[发明专利]掩膜版及其制造方法、半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供了一种掩膜版及其制造方法、半导体器件的制造方法，所述掩膜版包括：主图形，包括至少一个第一拐角；以及，辅助图形，包括与所述主图形的形状对应的第一图形，所述第一图形具有至少一个第二拐角，所述第二拐角位于所述第一拐角的内侧且开口方向与所述第一拐角相同，所述第一拐角和所述第二拐角均为尖角。本发明的技术方案能够使得拐角圆化效应得到改善。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种掩膜版及其制造方法、半导体器件的制造方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版上转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体器件。但是，通过光刻将图形从掩膜版上转移到硅片表面的过程会有或多或少的失真，失真的原因是由于光学邻近效应(Optical Proximity Effect，简称OPE)，光学邻近效应是由光学成像系统的非线性滤波所造成的。为了消除光学邻近效应的影响，实际的掩膜版上的曝光图形与曝光后所希望得到的图形并不相同，曝光图形需要经过光学邻近校正(Optical ProximityCorrection，简称OPC)处理。在对掩膜版上的曝光图形进行光学邻近校正处理时，会在曝光图形的周围辅以设置亚尺寸的辅助图形，即亚分辨率辅助图形(Sub-resolution Assistant Feature，简称SRAF)；辅助图形不会被曝光出来，通过增加辅助图形能够使得主图形位于图形稀疏区域的图形密度接近位于图形密集区域的图形密度，进而使得图形稀疏区域接收到的衍射光的对比度提升，从而改善失真情况。

其中，当掩膜版上的主图形具有拐角(例如为45°、90°等的尖角)时，拐角区域的低阶衍射光很容易被滤掉，进而导致拐角圆化(CornerRounding)效应明显。而传统的辅助图形仅包括多个线条，对图形密度的增加有限，并不能有效的改善拐角圆化效应，无法确保主图形的拐角在曝光后会更接近尖角，从而无法使得用于接收光的区域在曝光后的面积实现最大化。

因此，如何对辅助图形进行优化，以改善拐角圆化效应是目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩膜版及其制造方法、半导体器件的制造方法，能够使得拐角圆化效应得到改善。

为实现上述目的，本发明提供了一种掩膜版，包括：

主图形，包括至少一个第一拐角；以及，

辅助图形，包括与所述主图形的形状对应的第一图形，所述第一图形具有至少一个第二拐角，所述第二拐角位于所述第一拐角的内侧且开口方向与所述第一拐角相同，所述第一拐角和所述第二拐角均为尖角。

可选地，所述第一拐角和所述第二拐角均为直角。

可选地，所述第一拐角与所述第二拐角的角平分线重叠。

可选地，所述第一拐角的两条边靠近相交顶点的一端均形成有凹槽。

可选地，所述第二拐角的两条边经相交顶点向所述第一拐角方向延伸，以使得两条边的延伸部分分别对应一个所述凹槽。

可选地，所述辅助图形还包括第二图形，所述第二图形位于所述第一图形的远离所述主图形的一侧。

可选地，所述第二拐角的两条边的中间区域均形成有凸起。

可选地，所述凸起位于所述第二拐角的两条边的一侧或两侧。

可选地，所述第二图形为十字形，十字形的两条相交线条分别对准所述凸起。

可选地，述第二图形为封闭环形，且封闭环形的内圈为十字形或方形。

可选地，所述辅助图形还包括第三图形，所述第二图形环绕所述第三图形。