[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202111119964.4 | 申请日: | 2021-09-24 |
公开(公告)号: | CN114649368A | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 李昌澔;金成虎;成硕济;赵允锺;曺惠梨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域;
第一下部图案,设置在所述基底上,并且与所述显示区域叠置;
第二下部图案,与所述第一下部图案设置在同一层中,与所述非显示区域叠置,并且与所述第一下部图案一体地形成;
蚀刻停止件,设置在所述第二下部图案上;
电力电压线,设置在所述第一下部图案上;以及
传输图案,设置在所述蚀刻停止件上,连接到所述电力电压线,并且通过穿过所述蚀刻停止件限定的接触孔来接触所述第二下部图案。
2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一有源图案,设置在所述第一下部图案上,并且与所述第一下部图案叠置,
其中,所述蚀刻停止件与所述第一有源图案设置在同一层中。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述蚀刻停止件包括硅半导体。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述蚀刻停止件包括氧化物半导体。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述传输图案包括:
第一图案,接触所述第二下部图案;以及
第二图案,设置在所述第一图案上,接触所述第一图案,并且与所述电力电压线一体地形成。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括栅电极,并且所述第一下部图案包括:
叠置图案,与所述栅电极叠置;
第一桥,连接到所述叠置图案,并且沿着第一方向延伸;以及
第二桥,连接到所述叠置图案,沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸,并且与所述电力电压线叠置,并且
其中,所述第二下部图案沿着所述第一方向延伸,并且连接到所述第二桥。
7.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一有源图案,设置在所述第一下部图案上,并且与所述第一下部图案叠置;以及
栅电极,设置在所述第一有源图案上,并且与所述第一下部图案叠置,
其中,所述蚀刻停止件与所述栅电极设置在同一层中。
8.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一阻挡层,设置在所述基底与所述第二下部图案之间;以及
第二阻挡层,设置在所述第二下部图案上。
9.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述基底还包括弯曲区域,所述弯曲区域包括在所述非显示区域中,
其中,蚀刻孔限定为穿过与所述弯曲区域叠置的绝缘层,并且
其中,所述蚀刻孔的深度比所述接触孔的深度大。
10.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述接触孔包括第一接触孔和连接到所述第一接触孔的第二接触孔,并且
其中,所述第二接触孔的平面面积比所述第一接触孔的平面面积小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111119964.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的