[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202111119964.4 | 申请日: | 2021-09-24 |
公开(公告)号: | CN114649368A | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 李昌澔;金成虎;成硕济;赵允锺;曺惠梨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了一种显示装置。所述显示装置包括:基底;第一下部图案,设置在基底上;第二下部图案,与第一下部图案设置在同一层中,并且与第一下部图案一体地形成;蚀刻停止件,设置在第二下部图案上;电力电压线,设置在第一下部图案上;以及传输图案,设置在蚀刻停止件上,连接到电力电压线,并且通过穿过蚀刻停止件限定的接触孔来接触第二下部图案。
技术领域
公开总体上涉及一种显示装置。更具体地,公开总体上涉及一种包括下部图案的显示装置。
背景技术
显示装置一般包括显示面板,并且包括有源图案的晶体管设置在显示面板上。可以通过提供到显示面板的信号和电压在显示面板内生成电场。此外,显示面板一般包括包含有机材料的层。
发明内容
在显示装置中,包括在显示面板的层中的有机材料可能会被显示面板内部生成的电场极化。被极化的有机材料会对包括在显示面板中的晶体管的有源图案具有电效应。因此,在这样的显示装置中,晶体管的电特性会改变。因此,显示装置的显示质量会劣化。
一些实施例提供了一种显示装置。
一些实施例提供了一种制造显示装置的方法。
根据公开的显示装置的实施例包括:基底,包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域;第一下部图案,设置在基底上,并且与显示区域叠置;第二下部图案,与第一下部图案设置在同一层中,与非显示区域叠置,并且与第一下部图案一体地形成;蚀刻停止件,设置在第二下部图案上;电力电压线,设置在第一下部图案上;以及传输图案,设置在蚀刻停止件上,连接到电力电压线,并且通过穿过蚀刻停止件限定的接触孔来接触第二下部图案。
根据实施例,显示装置还可以包括:第一有源图案,设置在第一下部图案上,并且与第一下部图案叠置,并且蚀刻停止件可以与第一有源图案设置在同一层中。
根据实施例,蚀刻停止件可以包括硅半导体。
根据实施例,蚀刻停止件可以包括氧化物半导体。
根据实施例,传输图案可以包括:第一图案,接触第二下部图案;以及第二图案,设置在第一图案上,与第一图案接触,并且与电力电压线一体地形成。
根据实施例,显示装置还可以包括栅电极,并且第一下部图案可以包括:叠置图案,与栅电极叠置;第一桥,连接到叠置图案,并且沿着第一方向延伸;以及第二桥,连接到叠置图案,沿着与第一方向交叉的第二方向延伸,并且与电力电压线叠置。第二下部图案可以沿着第一方向延伸,并且可以连接到第二桥。
根据实施例,显示装置还可以包括:第一有源图案,设置在第一下部图案上,并且与第一下部图案叠置;以及栅电极,设置在第一有源图案上,并且与第一下部图案叠置。蚀刻停止件可以与栅电极设置在同一层中。
根据实施例,显示装置还可以包括:第一阻挡层,设置在基底与第二下部图案之间;以及第二阻挡层,设置在第二下部图案上。
根据实施例,基底还可以包括弯曲区域,弯曲区域包括在非显示区域中,蚀刻孔可以限定为穿过与弯曲区域叠置的绝缘层,并且蚀刻孔的深度可以比接触孔的深度大。
根据实施例,接触孔可以包括第一接触孔和连接到第一接触孔的第二接触孔,并且第二接触孔的平面面积可以比第一接触孔的平面面积小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111119964.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的