[发明专利]导电粉末颗粒、电子组件及电子组件的制造方法

权利要求书

1.一种电子组件，包括：

主体，包括堆叠的多个介电层和多个内电极，且相应的介电层介于所述多个内电极之间；以及

外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，

其中，所述内电极包括包含Ni和Sn的颗粒以及设置在所述颗粒的边界处的石墨烯层，

Sn含量与Ni和Sn的总含量的比为Sn/(Ni+Sn)，并且

位于所述颗粒内部距所述颗粒与所述石墨烯层之间的边界第一距离处的第一区域的Sn/(Ni+Sn)为A1，位于所述颗粒内部距所述颗粒与所述石墨烯层之间的边界第二距离处的第二区域的Sn/(Ni+Sn)为A2，所述第二距离小于所述第一距离，并且A1小于A2。

2.根据权利要求1所述的电子组件，其中，

所述颗粒与所述石墨烯层之间的边界包括彼此面对的第一边界和第二边界，并且

从使所述第一边界和所述第二边界连接的线段选择所述第一区域和所述第二区域，并且所述第一区域和所述第二区域彼此不重叠。

3.根据权利要求2所述的电子组件，其中，

L2L1≤La/2，其中，L1是从所述第一边界到所述第一区域的所述第一距离，L2是从所述第一边界到所述第二区域的所述第二距离，并且La是所述线段的长度。

4.根据权利要求1所述的电子组件，其中，

所述颗粒还包括从由Li、Na和K组成的组中选择的至少一种材料X，并且

Si含量与Ni、Sn和X的总含量的比为Sn/(Ni+Sn+X)，并且

位于所述颗粒内部距所述颗粒与所述石墨烯层之间的边界第三距离处的第三区域的Sn/(Ni+Sn+X)为B1，位于所述颗粒内部距所述颗粒与所述石墨烯层之间的边界第四距离处的第四区域的Sn/(Ni+Sn+X)为B2，所述第四距离小于所述第三距离，并且B1小于B2。

5.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述颗粒还包括石墨烯片，所述石墨烯片位于所述颗粒中并与所述颗粒的所述边界间隔开。

6.根据权利要求5所述的电子组件，其中，所述颗粒还包括与所述石墨烯片直接接触的Ni-Sn合金。

7.根据权利要求5所述的电子组件，其中，所述颗粒还包括从由Li、Na和K组成的组中选择的至少一种材料X，并且所述颗粒还包括与所述石墨烯片直接接触并且包含Ni和X的氧化物。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的电子组件，其中，所述内电极中的至少一个内电极通过所述主体的一个表面与所述外电极中的一个外电极接触，并且所述内电极中的所述至少一个内电极的所述石墨烯层相对于所述多个介电层从所述主体的所述一个表面突出并且接触所述外电极中的所述一个外电极。

9.根据权利要求1-7中任意一项所述的电子组件，其中，0≤ABS(A4-A3)/A4≤10％，其中，A3为在一个内电极的厚度的5/10的点处的Sn/(Ni+Sn)，A4为在所述一个内电极的厚度的9/10或1/10的点处的Sn/(Ni+Sn)，并且ABS是计算绝对值的函数。

10.一种电子组件，包括：

主体，包括堆叠的多个介电层和多个内电极，且相应的介电层介于所述多个内电极之间；以及

外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，

其中，Sn含量与Ni和Sn的总含量的比为Sn/(Ni+Sn)，在所述内电极中的一个内电极的厚度的5/10的点处的Sn/(Ni+Sn)为A3，在所述内电极中的所述一个内电极的厚度的9/10或1/10的点处的Sn/(Ni+Sn)为A4，ABS为计算绝对值的函数，并且满足0≤ABS(A4-A3)/A4≤10％。

11.根据权利要求10所述的电子组件，其中，

所述内电极中的所述一个内电极包括包含Ni和Sn的颗粒以及设置在所述颗粒的边界处的石墨烯层。