[发明专利]导电粉末颗粒、电子组件及电子组件的制造方法在审
申请号: | 202111120390.2 | 申请日: | 2021-09-24 |
公开(公告)号: | CN114512338A | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 李相汶;罗在永;李恩光;刘元熙 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/008 | 分类号: | H01G4/008;H01G4/30;H01G4/12 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 薛丞丞;何巨 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 粉末 颗粒 电子 组件 制造 方法 | ||
本公开提供了导电粉末颗粒、电子组件及电子组件的制造方法。所述电子组件包括:主体,包括堆叠的多个介电层和多个内电极,且相应介电层介于内电极之间;以及外电极,设置在所述主体上并连接到相应的内电极。所述内电极包括包含Ni和Sn的颗粒以及设置在所述颗粒的边界处的石墨烯层。Sn含量与Ni和Sn的总含量的比为Sn/(Ni+Sn),并且位于所述颗粒内部距所述颗粒与所述石墨烯层之间的边界第一距离处的第一区域的Sn/(Ni+Sn)为A1,位于所述颗粒内部距所述颗粒与所述石墨烯层之间的边界第二距离处的第二区域的Sn/(Ni+Sn)为A2,所述第二距离小于所述第一距离,并且A1小于A2。
本申请要求于2020年11月16日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0152613号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及导电粉末颗粒、电子组件及电子组件的制造方法。
背景技术
诸如多层陶瓷电容器(MLCC)的多层电容器包括交替地设置的多个介电层以及多个内电极,且介电层介于内电极之间。Sn可用作添加剂以改善这种内电极的特性。添加到内电极的Sn可改善可靠性(例如,高温负载寿命)。然而,当Sn从内电极扩散到介电层时,可能发生电容减小现象。
发明内容
示例性实施例提供了一种具有改进的可靠性的电子组件。
示例性实施例提供了一种用于制造电子组件的内电极的导电粉末颗粒。
示例性实施例提供了一种用于使用导电粉末颗粒制造具有改善的可靠性的电子组件的方法。
本公开的技术问题不限于上述技术问题,并且本领域技术人员将从以下描述中清楚地理解这里未提及的其他技术问题。
根据本公开的一方面,一种电子组件包括:主体,包括堆叠的多个介电层和多个内电极,且相应的介电层介于所述多个内电极之间;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极包括包含Ni和Sn的颗粒以及设置在所述颗粒的边界处的石墨烯层。Sn含量与Ni和Sn的总含量的比为Sn/(Ni+Sn),并且位于所述颗粒内部距所述颗粒与所述石墨烯层之间的边界第一距离处的第一区域的Sn/(Ni+Sn)为A1,位于所述颗粒内部距所述颗粒与所述石墨烯层之间的边界第二距离处的第二区域的Sn/(Ni+Sn)为A2,所述第二距离小于所述第一距离,并且A1小于A2。
根据本公开的一方面,一种电子组件包括:主体,包括堆叠的多个介电层和多个内电极,且相应的介电层介于所述多个内电极之间;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。Sn含量与Ni和Sn的总含量的比为Sn/(Ni+Sn),在所述内电极中的一个内电极的厚度的5/10的点处的Sn/(Ni+Sn)为A3,在所述内电极中的所述一个内电极的厚度的9/10或1/10的点处的Sn/(Ni+Sn)为A4,ABS为计算绝对值的函数,并且满足0≤ABS(A4-A3)/A4≤10%。
根据本公开的一方面,一种用于内电极的导电粉末颗粒包括:金属粉末颗粒;涂层,形成为围绕所述金属粉末颗粒的表面的至少一部分并且包含Sn;以及石墨烯,形成为围绕所述涂层的表面的至少一部分。
根据本公开的一方面,一种用于制造电子组件的方法包括:形成未烧结的主体,所述未烧结的主体包括多个未烧结的介电层和多个未烧结的内电极,所述多个未烧结的内电极通过将包含Ni、Sn和石墨烯的导电膏涂覆到所述未烧结的介电层而形成;以及烧结所述未烧结的主体以形成烧结的主体,其中,所述导电膏包括导电粉末颗粒,所述导电粉末颗粒包括含Ni的金属粉末颗粒、涂层和石墨烯,所述涂层形成为围绕所述金属粉末颗粒的表面的至少一部分并且包含Sn,并且所述石墨烯形成为围绕所述涂层的表面的至少一部分。
其他示例性实施例的具体细节包括在具体实施方式和附图中。
附图说明
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